三星2011年半导体资本支出拟为92亿美元

2010-10-18 11:49:22来源: 慧聪网 关键字:三星  半导体

    据外电报导,三星电子(SamsungElectronics)继2010年对半导体进行达96亿美元的大规模资本额投资后,2011年也将持续投资92亿美元发展半导体事业。三星连续2年在半导体投资额排名居世界之冠。

    三星2011年将优先对华城厂16产线进行投资建设,此外为量产30奈米制程DRAM、20奈米制程快闪存储器(NANDFlash)等,也将积极投资微细制程化作业。同时三星也将在美国德州奥斯汀设立系统半导体生产线,进行资本额投资。

    据市调机构Gartner统计,三星2010年对半导体设备投入96亿美元资金,2011年也将大笔投入92亿美元,投资规模居世界第1。排名第2位的英特尔(Intel)2011年将投资50亿美元,较2010年减少2亿美元,而排名第3的台积电2011年将投资49亿美元,较2010年减少10亿美元。

    而2010年投资18.15亿美元的东芝(Tosshiba),估计2011年将投资36.3亿美元,在半导体资本额投资方面2010年排名第7,2011年将可望攀升至第4名。

    海力士(Hynix)2010年投资25亿美元,排名第5,2011年约投资27.5亿美元,排名将滑落至第6,并由GlobalFoundries以投资32亿美元接下第5名位置。除此之外,华亚、美光(Micron)、联电、尔必达(Elpida)等投资排名2011年也将提升至7~10名。

    Gatner世界半导体产业2011年总投资金额较2010年的507亿美元增加10.1%,达558亿美元规模。

关键字:三星  半导体

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2010/1018/article_4377.html
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