GF宣布2015年15nm将正式启用EUV技术

2010-07-16 09:50:26来源: CNBeta 关键字:EUV

      在最近召开的SemiCon West产业会议上, Global Foundries 公司宣布他们将在15nm制程节点开始启用EUV紫外光刻技术制造半导体芯片。 Global Foundries 公司负责制程技术研发的高级副总裁Greg Bartlett还表示,公司将在纽约Fab8工厂建成后马上开始在这家工厂部署EUV光刻设备,按之前 Global Foundries公布的计划,这个时间点大概是在20.2年下半年,与之巧合的是,光刻设备厂商ASML公司也将于这个时间点开始上市EUV光刻设备。

     

      ASML的EUV Alpha demo tool光刻演示设备

      由于IBM/AMD/Global Foundries一直鼎立支持EUV光刻技术,他们过去也曾经试用过ASML的Alpha EUV光刻试验机,因此将来他们应用起EUV技术来应该不会遇上太大的困难。另外 Bartlett还表示Global Foundries公司将于2015年正式启用EUV光刻设备进行批量生产。考虑到Global Foundries的计划显示今年底明年初他们将推出32/28nm制程产品,这样大致估算起来,32/28nm制程启用后大约两年,我们就可以看到 Global Foundries 22nm制程产品的上市,22nm之后再过两年,则是使用EUV光刻技术的15nm制程产品上市。

      另一个令人关心的问题是,到2015年,也许晶圆的尺寸也已经从现在的300mm发展到450nm直径了,不过在Bartlett的讲话中并没有提及这方面的信息。不管怎么样,围绕在EUV光刻何时能投入实用的问题我们已经得到了确切的答案。

      相比之下,Global Foundries的对手Intel曾计划在22nm制程节点启用EUV光刻设备,不过他们后来的计划有所变化,称将把1.3nm沉浸式光刻技术沿用到15nm制程乃至11nm制程节点;而其另一大对手台积电则表示会将EUV设备使用在20nm制程节点的产品中。

      注:现有的193nm沉浸式光刻机(以同样产自ASML的TWINSCAN NXT-1950i沉浸式光刻机为例)的光波波长为193nm,数值孔径值NA为1.35;而ASML的EUV Alpha试验机使用的光波波长则为13.5nm,数值孔径值NA则为0.25.

关键字:EUV

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2010/0716/article_3844.html
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