英飞凌与尔必达就专利侵权诉讼达成和解

2010-05-24 13:19:57来源: 中电网

      英飞凌科技股份公司宣布,该公司与尔必达公司(Elpida Memory Icn.)就专利侵权诉讼达成和解。英飞凌与尔必达均同意撤消所有未决专利侵权诉讼。英飞凌于2010年2月向美国国际贸易委员会(ITC)递交起诉书,起诉尔必达及其客户。尔必达随后在弗吉尼亚州东部地区法院针对英飞凌提起两项诉讼。

    英飞凌与尔必达通过半导体技术专利交叉许可,就专利侵权诉讼达成和解。具体许可条款未透露。

    英飞凌公司董事会成员兼销售、营销、技术和研发负责人Hermann Eul博士指出:“英飞凌很高兴能与尔必达达成和解,我们期待两家公司能够维持持久的和平关系。这一结果进一步印证了我们为保护知识产权和商业利益所做的不懈努力。”

    关于诉讼

    2010年2月19日,英飞凌科技股份公司及其子公司英飞凌科技北美公司向美国国际贸易委员会递交起诉书,起诉尔必达,称尔必达侵犯了英飞凌在半导体工艺和元件制造方面的重要发明专利。英飞凌向美国国际贸易委员会提起诉讼,旨在寻求美国国际贸易委员会下达禁令,禁止尔必达或尔必达的客户,向美国进口侵犯英飞凌专利的所有DRAM芯片和产品。2010年3月23日,美国国际贸易委员会根据递交的起诉书的内容,展开调查。

    2010年4月2日,尔必达在弗吉尼亚州东部地区法院针对英飞凌提起两项专利侵权诉讼。

 

关键字:英飞凌  尔必达

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2010/0524/article_3475.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
英飞凌
尔必达

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved