美日韩阵营鼎立 DRAM产业淘汰赛没有终点 (2)

　　
　　尔必达卧薪尝胆2010年将一举跨到40纳米
　　
　　台湾另1个DRAM联盟的带头者则是尔必达。 2009年的金融风暴重伤DRAM产业，也使得尔必达一度面临财务危机，是继奇梦达之后，市场认为最有可能走向破产的DRAM阵营，也因此尔必达当时密切与台湾政府合作，希望能获得台湾金援。此外，尔必达内部也拟好两套作战计画，以应付当时的艰辛困局。
　　
　　1个是利用现有65纳米技术作微缩，研发出65纳米XS版本，让产能多出20%；另1个是决定舍弃50纳米，且在2010年直接跳到40纳米制程技术。尔必达内部评估，如果公司2010年才转到50纳米制程，那么三星2010年的40纳米早已量产出货，整个技术断层仍是存在，但如果能直接跳到40纳米制程，届时成本竞争力有机会与三星一较高下。
　　
　　尔必达的40纳米制程初期会由6F2制程技术切入，目前已宣布研发成功，到了40纳米4F2制程阶段，研发重心会由日本广岛移到台湾，日前尔必达与瑞晶宣布成立研发中心，预计2009、2010两年合计投资8,000万美元，落实台日双方的生产及研发工作。
　　
　　海力士黯然退出台湾成为整合下最大苦主
　　
　　此外，评断2010年各家DRAM厂势力变化的关键因素时，可不能遗忘海力士的存在。海力士在全球记忆体产业中，一直有独特的生存之道，例如海力士对NAND Flash即投注相当大的财力与技术研发。过去海力士由于48纳米制程不顺，因此NAND Flash技术发展不顺，再加上海力士很多NAND Flash产能都是在8吋厂生产，不具竞争力，因此将旗下8吋厂大量退役，这些因素都使得海力士的NAND Flash产能受到影响。
　　
　　在此同时，竞争对手三星和东芝(Toshiba)在NAND Flash市场战斗力十足，市占率持续扩大，都各自保持在30%，且原本市占率落后的美光和英特尔(Intel)的IM Flash阵营， 2009年凭借着34纳米制程量产，是全球第1个跨入30纳米世代的NAND Flash业者，对海力士形成极大威胁。
　　
　　2009年下半美光在NAND Flash市场的市占率一度超越海力士，抢下全球3哥宝座，但目前海力士32纳米制程已正式量产成功，目前也开始小量出货，预计海力士可重拾产业竞争力，因此2010年各家NAND Flash市占的变化将精采可期。尤其最近持有海力士股权28%的债权银行，打算出脱部分持股，日前也传出阿拉伯联合大公国有兴趣投资部分海力士股权，此消息显示海力士的产业竞争力备受肯定，2010年美光、尔必达等对手得多加把劲，才有机会超越海力士。
　　
　　台湾成美、日重要战场
　　
　　整体来看，南韩、美国、日本在DRAM产业的竞争赛，未来仍会如火如荼进行。走过金融风暴的摧残，DRAM价格也开始反弹，各厂开始赚钱，整装待发进行下一轮比赛，台湾DRAM业者的未来，也跟随着国际大厂的势力消长而不断变动中。
　　
　　未来台湾DRAM产业的发展确定是台美、台日双线出击，最大敌人是三星，除了依赖母厂技术的优劣外，最大的关键仍是资金，也因此市场格外看好美光和南亚科、华亚科阵营，认为有台塑集团的支持，等于有庞大的银库做支援。
　　
　　短期之内，台湾还是维持台美、台日两阵营最有利，毕竟美、日都是全球第3、第4，在还没有分出胜负前，仓促压宝恐赔上台湾累积数10年的DRAM产业根基。
　　
　　尔必达在台湾产能之争上收获丰富，未来40纳米若能成功量产，全球竞争力不可小觑；美光有台塑集团的财力加持，在资金竞争力上明显胜出，在此美、日两阵营的壮大下，台湾成为DRAM重要的战场，台厂也应该借着与国际大厂合作的机会，增加自己的竞争力、研发实力和价值，彼此才能并驾齐驱，达到挑战三星的目标。