美日韩阵营鼎立 DRAM产业淘汰赛没有终点 (1)

2010-03-04 21:05:02   来源:DigiTimes   

关键字:DRAM 奇梦达 三星 美光 尔必达

  2009年全球DRAM产业从全球前五强变成四强鼎立,欧系代表奇梦达(Qimonda)正式退出市场,也宣告沟槽式技术阵营的结束。展望2010年DRAM产业新页,将会是美、日、韩阵营合写历史,但目前台湾的DRAM版图中,韩系已消失,未来台湾分为美、日两阵营来抵御三星电子(Samsung Electronics )的势力坐大,惟产业淘汰赛没有终点,最后一名很容易跟随奇梦达的命运,因此美光(Micron)和尔必达(Elpida)未来竞争会更为激烈,且台湾将成为美、日两阵营比划武功的重要战场。
  
  DRAM产业在所有半导体产业中的成本敏感度最高,永远需要最先进的机器设备和最新的制程技术,才能存活。唯有比竞争对手领先一步转进50纳米或是40纳米,才能让成本进一步降低。
  
  但左右DRAM成本高低的,其实并非只在技术层面,还包括生产基地的良窳,例如DRAM产业早已全面进入12吋厂时代,8吋厂不可能存活下来,而台湾的低制造成本优势,更是DRAM产业滋养成长的温床,未来台DRAM厂料将延续此优势,在2010年全球DRAM市场中占有一席之地。
  
  奇梦达注定淘汰命运
  
  举例来说,过去奇梦达就是在技术和生产基地上都出问题,注定了狼狈退出DRAM产业的命运。 2009年初奇梦达申请破产,当时正是台湾农历春节连假的第1天,从此奇梦达就消失在全球DRAM产业版图中,也代表欧洲在全球DRAM产业竞争的落败,以及沟槽式技术的寿终正寝。
  
  奇梦达过去和台厂的渊源相当深厚,前身英飞凌(Infineon)是茂德的合作伙伴,双方在2003年正式拆伙,之后与南亚科、华邦等台厂合作,是沟槽式技术阵营的代表。 2006年沟槽式阵营的市占率最高达曾达23%,2007年已下滑至18%,市占率的下滑也使得设备商投入的研发资金要选边站,沟槽式技术的设备商越来越少,设备越来越贵,加上0.11微米之后就没有优势,因此奇梦达的技术开发成本的确越来越高。
  
  奇梦达当然也知道技术瓶颈终于来临,因此也自己研发出埋入式闸极字元线连结(Buried Wordline)技术,转而研发堆叠式技术架构,更宣布与尔必达技术合作开发4F2技术,将Buried Wordline技术提供给尔必达合作开发新技术,颇有化敌为友之意,但所有的努力却在金融风暴来临后功亏一篑,技术虽好,但没有钱代表连存活的技术都没有,奇梦达最终宣布破产。
  
  合作伙伴的倒戈,也是压垮奇梦达的1根稻草。 2008年3月南亚科正式和奇梦达分道扬镳,与过去从来不曾和他人分享技术的美光,签下技术合作合约。由此可知,资金、技术虽是2010年以后DRAM产业发展的重要关键,但是策略联盟的伙伴关系也将继续具有不可替代的影响力。
  
  台DRAM厂携手美、日抗韩
  
  就以2009年退出台湾DRAM市场的海力士(Hynix)来说,因台湾政府主导的DRAM产业整合中,营造了联合美、日一起抗韩的气氛,锁定三星电子为最大敌人,海力士身在韩营,因此黯然退出台湾DRAM市场,原本的合作伙伴茂德则转投尔必达怀抱。
  
  不论台湾DRAM产业整合结果为何,台湾DRAM产业终究是分为台美、台日两线发展,对抗三星是共同的目标,这点其实和政府整合计画的原意相仿。
  
  但在共同面对三星这个巨大敌人的同时,2010年的美光和尔必达可能要先彼此争相出头,因为谁挤进了全球前3强(前2强为三星和海力士)的门票,就可以立于不败之地,尤其不能当上最后1名,因为未来的DRAM市场竞争只会更严峻,不论是技术、产能、资金等规模,最后1名的业者随时得面对被淘汰的危机。
  
  资金匮乏 筑下50纳米战争的天险
  
  在技术制程上,美光和尔必达2009年都缺席于50纳米大战,主要原因是资金不足,没有多余资金引进新的机器设备,但两阵营这口气当然咽不下去,随着DRAM产业景气快速复苏,美光和尔必达2010年将重整士气,前进50纳米和40纳米制程。
  
  转进50纳米制程对于DRAM厂是重要的竞争分水岭,因为导入50纳米制程需要导入浸润式微显影(Immersion Scanner)机台,1台价格超过新台币10亿元,但平均1台只能做约1万片产能,如果1座晶圆厂的规模是单月10万片,就要购买10台的Immersion Scanner设备,要花上100亿元,由此可知,50纳米制程世代比的绝对是口袋的深度。
  
  美光的50纳米制程在2009年初在美国麻州Virginia厂开始试产,2010年预计50纳米制程也将进入量产,同阵营的南亚科和华亚科,2010年也是重兵放在50纳米制程上,南亚科旗下3万片的12吋厂产能,和华亚科旗下高达13万片的12吋厂产能2010年都要全数转进50纳米。由此可知,2010年的DRAM产业将是新制程的挑战赛,比技术也比时间。
  
  美光技术+台塑财力称霸台湾DRAM产业
  
  对南亚科和华亚科而言,因为在转制程同时,等同是从沟槽式技术要转换到堆叠式技术,部分机器设备、制程设计都要改变,相较其他同业,会走的比同业艰辛,但只要跨出这一步,未来40纳米和30纳米相对容易许多。为了确保制程和技术转换顺利,南亚科在2009年下半先导入68纳米的美光沟槽式制程做练兵,确定沟槽式技术无虑后,再转进50纳米制程,华亚科则随后加入。
  
  南亚科和华亚科为了转进50纳米,也开始密集募资,南亚科办理3次募资总共获得462亿元的资金,银弹相当充沛。华亚科也不遑多让,2009年8月办理海外存托凭证募得102.52亿元,这次现金增资预计可募得近150亿元,合计两次募资可获得250亿元;台塑集团旗下DRAM厂抢钱的功力一流,更是羡煞众多同业。
  
  有了南亚科和华亚科的支援,美光本身也同时进行40纳米制程的研发,由新加坡厂导入试产,未来到了40纳米制程,由于Immersion Scanner机台都可以共用,所需的费用就可以大大减少。由此推测,在美光精进的技术加上台塑集团财力的奥援,2010年南亚科和华亚科的DRAM势力颇有想像空间。
[1] [2]
相关阅读
尔必达在台湾设立DRAM研发中心 2011-09-19
韩国DRAM微细制程比重高 占市场优势 2011-05-28
全球DRAM产业第一季营收83亿美元,小跌4% 2011-05-03
日本地震将导致七种电子元件价格上涨 2011-03-31
iSuppli:2011年智能手机与平板电脑将拯救DRAM 2011-01-18
DDR3 2GB十二月下旬合约价续跌10% 2010-12-24
Gartner:2011年半导体市场将增长4.6% 2010-12-24
存储器厂商从提供标准产品向以客户为中心转变 2010-12-22
美光新加坡厂明年投产,NAND Flash卡位战再起 2010-12-19
2011年DRAM位元成长率上看50% 2010-12-14
台积电设备供货商ASML调高Q4接单金额预估值 2010-12-12
编辑:小甘
本文引用地址: http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2010/0304/article_2644.html
[发表评论]
[加入收藏]
[告诉好友]
[打印本页]
[关闭窗口]
[返回顶部]
[RSS订阅]

小广播

最热点击

专栏

向农,EEWORLD副总编。被英特尔董事长贝瑞特称为“中国可与之对话的两名记者之一”

【详细】

总编随笔
汤宏琳,人皆称为“汤汤”,电子工程世界高级编辑。随着EEWORLD一起成长。

【详细】

汤汤手记
今年,是中国集成电路产业丰收的一年,相比较往年都有大幅提升。

【详细】

凯哥博客

论坛精华

精选博文