后CMOS时代谁来接班?ISSCC专家解密

2010-02-11 11:30:16   作者:Mark LaPedus   来源:EETTaiwan   

关键字:CMOS ISSCC

      一年一度的国际固态电路会议(International Solid State Circuit Conference,ISSCC)日前(2月8日)在美国旧金山登场,一位在会议上发表演说的学界专家表示,芯片微缩应可在接下来的15年内持续进展,他并预测了「后CMOS时代」的接班技术。

      乔治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)旗下Joseph M. Pettit微电子研究中心教授James Meindl在ISSCC的专题演说中表示:「在接下来的15年,我们会持续用力微缩芯片;而在硅芯片技术之外,奈米电子领域的革命性发展也许会以石墨烯(graphene)为中心演进。」

      他预测,处理器硅制程可能会微缩至7.9奈米节点,时程在2024年;而在那之前或之后,石墨烯可望实现未来的兆级运算(terascale computing)。

      为何是石墨烯从自旋电子(spintronics)、分子电子(molecular electronics)等技术中脱颖而出,成为后CMOS时代结束后最有希望的接班技术?以下是Meindl所提供的六个理由?

      1. 石墨烯的机械性强度-重量比(strength-to-weight ratio),超越其它所有已知的材料;

      2. 其载体迁移率(carrier mobility)超过200,000cm2/Vs;

      3. 被称为「迪拉克费米子(Dirac fermions)」的零有效质量载体与光子(photon)类似的,其速率比光速小三百倍,在微米等级的距离范围内无散射(scattering);

      4. 其电流传导密度是铜的一千倍,无电子迁移(electromigration);

      5. 在室温下的热传导性曾达到超过5,000W/mK的记录;

      6. 能做为场效应晶体管(FET)的源/通道汲极,也能做为互连(interconnect)。

      不久前,美国宾州大学的研究人员才宣布制造出4吋(100mm)石墨烯晶圆片,预告了碳IC时代不远的讯息

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编辑:冀凯
本文引用地址: http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2010/0211/article_2529.html
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