Intel-镁光反击,2xnm制程NAND芯片将试制

2009-12-25 11:32:40来源: CNBeta

     在本月22日召开的一次电话会议上,镁光公司声称他们很快便会试制出2x nm制程NAND闪存芯片产品,并对其进行取样测试。尽管镁光没有透露这种2xnm制程的具体规格数字,但外界认为他们很可能会于明年初公布有关的细节信 息。这样,镁光及其NAND技术的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用这种新制程技术,甩开对手三星和东芝,重新回到领先全球NAND制作技术的宝 座上。目前Intel和镁光两家公司合资创立有一家专门负责NAND业务的IM闪存技术公司。

    除了制造闪存芯片之外,Intel和镁光还有出售基于NAND闪存芯片的SSD硬盘产品,其中Intel的SSD硬盘业务状况可谓相当不错,而镁光则在这方面进行得不太顺利。

    Intel-镁光联盟曾一度在NAND制程竞赛中占据领先地位,他们抢先推出了基于34nm制程的NAND闪存芯片产品。不过今年4月份,东芝公司凭借自己的32nm制程产品超越了Intel-镁光联盟。

    今年八月份,NAND业界则又开始了新一轮的3位元NAND技术竞赛,Intel-镁光联盟抢先宣布其34nm制程三位元NAND芯片。不过本月早些时候,韩国三星电子公司则宣布开始量产30nm制程三位元MLC NAND芯片产品,这种芯片产品的存储密度可达32Gb(内部存储单元共4G个,每个存储单元可存放3位数据).

    现在Intel-镁光联盟开始推进NAND闪存的2xnm制程,不过根据iSuppli的统计数字表明:三星在NAND市场上的市占率仍为最高,而东芝则正在威胁其位置,至于Intel则仍然在市占率方面排在两者的后面。

关键字:镁光  NAND  闪存

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/1225/article_2134.html
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