非易失性半导体存储器的相变机制 (4)

      关于作者 Roberto Bez

恒忆研发中心技术开发部研究员，负责恒忆相变存储技术（PCM）的研发工作。

Roberto于1987年加入意法半导体。在任职于ST的20年间，他服务于多个非易失性存储技术部门，重点研究领域是NOR闪存、NAND闪存及相变存储（PCM）。Roberto拥有超过25项专利，所著文章曾发表在100多种刊物上。

Roberto毕业于米兰大学（University of Milan），获得物理学学士学位。