存储器产业狂想曲 (2)

　　
　　MRAM已经取得了很大的成功：它的防幅射性能使得它成为卫星和其它空间应用的首选SRAM替代品。但MRAM仍无法满足通用存储器要求，这可能鼓励存储器行业寻找另一种能够担当这个角色的存储器技术。
　　
　　在经过15分钟长时间的聚光灯照射后，铁电RAM自认为是通用存储器竞争中的姣姣者。由于缺乏可扩展性，FeRAM早期曾被多次抛弃过。毕竟存储器领域的下一件大事是需要替代已经达Gb容量的闪存。目前最高密度的FeRAM还在Mb范围，比如Ramtron公司推出的8Mb独立存储器。
　　
　　具有讽刺意味的是，FeRAM在过去10年中一直在商用化生产，并且获得了第一轮侯选技术中最高的收入。

　　位密度不是FeRAM(或MRAM)的特长。FeRAM资深公司Ramtron和富士通都能提供独立和嵌入式存储器产品，而且嵌入式应用可能有很好的结果。富士通已经将FeRAM集成进RFID产品中多年了，而Ramtron推出的控制器用于数据采集设备。大约七年前，TI公司宣布开发FeRAM，作为系统级芯片中的SRAM替代品。
　　
　　FeRAM和MRAM已经深入到大量低位密度应用和市场空间。智能电表、打印机墨盒和工控机就是很好的三个例子。对它们的一般要求是快速写入和高的写入可靠性，在这方面闪存器件和传统的E2PROM都无法胜出。让人特别感兴趣的一种新兴应用是非易失性寄存器。这真的会是向瞬子计算机迈出的前几步吗？
　　
　　位密度当然是NAND闪存的过人之处。展望未来，重要的是要记住NAND闪存的位密度将以惊人的速度提高。即使是今天，Intel和Micron Technology已经发布32Gb、3位/单元的器件。这些器件采用先进的34nm工艺节点制造。得益于对NAND闪存的巨额投资和推动而大幅提高的这种位密度肯定会使任何试图充当通用存储器的创新技术面临重重困难。
　　
　　另一方面，闪存世界也不是十全十美。在今年夏天举行的闪存高峰会议上，许多人表示了高度的关注，从SanDisk创始人Eli Harari对NAND闪存业务模型的评价，到Sun闪存技术专家Michael Cornwell对企业消费者对NAND闪存需求的展望。也许闪存到25nm以后将接近极限。
　　
　　即使十年以后，我们也有把握认为第一轮候选技术并不能实现通用存储器，不管是写可靠性、写速度还是位密度方面的原因。同时，第一轮技术的演变可能已经造成非易失性、然后是通用存储器市场中的分歧。目前在低位密度技术和高位密度器件之间有明显的分化。
　　
　　闪存已经开启一个位密度攀升的信道，这将使第一轮技术几乎不可能跟上。第一轮候选技术要想跟上目前的闪存密度，必须缩放到更精细的工艺尺寸。同时，让闪存保持跟踪缩放曲线也变得越来越昂贵。保持最小可靠性标准也变得更具挑战性。
　　
　　经过十年多的开发，目前有三种“新的”非易失性存储技术，并且还有多种新的想法从实验室冒出来。来自Crocus Technologies、Grandis和Unity Semiconductor的概念就是三个很好的例子。
　　
　　今年5月公开自己身份的Unity公司似乎把矛头直接指向NAND闪存替代品。搜索美国专利与商标办公室的数据库可以发现，Unity公司正在积极寻求专利保护。80份公开申请已分配给Unity。一份批准的专利(专利号6753561)讨论了交叉点存储器的结构。其中的图片描绘了位于两个传导阵列线之间的七层“内存插件”。在这个插件中，复杂的金属氧化物(CMO)组成了内存单元。这可能是值得期待的下一种技术。
　　
　　新闻稿册数的多少并不能表明未来产品能否取得成功。专家的意见也好不到哪儿去。首先应该是市场的反应，但即使这个也不能保证产品成功。真正的检验只能经过许多年以后才能有结果。我们不要太短视，非要从非易失性存储器竞争者中选取赢家，但也许现在至少是不去想通用存储器概念的时候。
　　
　　不要再考虑那些不切实际的目标了，新兴存储器公司，也许更重要的是他们的投资者，应该专注于如何最好地使用他们的创新技术。
　　
　　放弃对旧市场的追逐吧，不管它有多么巨大。相反，要打起精神去寻找只能由你的发明开启的新市场。