晶圆代工砸银弹 联电2010年资本支出倍增

2009-10-14 13:15:37来源: DigiTimes 关键字:晶圆  联电  半导体

      因应景气翻扬,晶圆代工厂台积电联电纷纷备妥银弹展开资本支出竞赛,其中45/40纳米产能扩充将是2009~2010年重点,而台积电则于40纳米制程世代起一并提供客户全套式的前、后段制程代工服务,加上太阳能产厂将动工,预料2010年资本支出上看30亿美元,不过同业联电的资本支出增幅更为惊人,2010年资本支出可望翻一倍达到10亿美元。

      2008 年台积电、联电受到金融风暴影响,紧急在资本支出踩煞车,让半导体设备业者陷入寒冬,如今景气状况回稳,2009年上半起资本支出逐渐解冻,到了下半年台积电、联电纷纷加码添购设备,预料到2010年上半加码采购设备的动作将会愈来愈积极,一方面消化之前的预算,添购之前产能急冻的不足部分,另一方面谁都不想在45/40纳米竞赛中落后。

      据了解,继台积电内部拟提高资本支出后,也已将暂定将2010年资本支出定为30亿美元上下,约较2009年资本支出23亿美元成长30%;不过,成长幅度惊人的则是同业联电,联电内部预测,2009年资本支出约5亿美元,但2010年资本支出可望翻一倍达到10亿美元,成长幅度比台积电还要高。

      半导体业者指出,综观台积电、联电加码资本支出的方向,40/45纳米则是重点,台积电积极扩充Fab 12第4期的40纳米产能,同时在65纳米制程定单方面也持续增加,因此计划增添65纳米制程产能,较为不同的是,台积电除了积极扩充40纳米前段制程产能,也将为客户提供40纳米后段制程全套化服务。因此,在前、后段制程上都将有巨额投资。

      在联电方面,2009年的资本支出5亿美元主要用以新加坡厂UMCi与Fab 12A的45/40纳米产能扩充,此外Fab 12B的第3、第4期无尘室建置也将紧锣密鼓展开,预料未来增添设备的需求很快将顺势到来,联电内部则规画,将会加码2010年资本支出达到10亿美元。台积电、联电尽管在景气低谷时也保持充裕现金水位,一旦景气讯号翻扬,保留的银弹实力便可充分发挥。

 

 

关键字:晶圆  联电  半导体

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/1014/article_1506.html
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