制程差距扩大 台湾DRAM厂隐忧

2009-09-30 09:24:16来源: 中时电子报

      台湾DRAM大厂南科(2408)宣布8亿股现金增资计划,预计筹措100亿元以上资金,全数投入50纳米制程,以及偿还公司债,尽管DRAM现货价格已站上每颗2美元,时间点来得比预期早,国内DRAM厂暂时度过最艰困的时刻,但三星半导体将在明年把40纳米推升为生产线主力,成本大幅降低的优势,势必更加显著,台厂与国外一线大厂的苦战还是难免。

      由于DDR2过渡至DDR3面临产能转换的瓶颈期,导致DDR3产能不足,进一步拉抬DDR2价格,原本内存模块厂预测,今年第四季底,DDR2现货价才有机会达到2美元,但根据集邦科技报价,DDR2现货价昨日持续上涨2.39%,报价已经突破2美元,时间点来得较预期更早,引发现货价格是否已经到顶的疑虑。

      然对DRAM厂而言,已经至少一年半没有见过DDR2出现2美元的价位,对营运维持现金流量有相当大的帮助,因此DRAM类股近期也呈现大涨走势,反映营运转佳的事实。

      不过DRAM产业在三星半导体逐渐维持绝对领先的优势之下,制程的差距似乎也拉得更大,形成大者恒大的一线领先群效应。上周三星半导体社长权五铉来台,就明白指出,该公司的40纳米制程已经进入量产阶段,预计在明年,40奈米制程就会成为产品线的主力。

      反观台系厂商,目前只有南科、华亚科有能力转进50纳米制程,预计在明年中后,所有制程将全数转进50纳米,最快也要在后年才有机会转进40纳米,台系厂商制程差距与三星半导体呈现扩大的态势,今年第二季,根据市调机构Gartner的预估,三星以及海力士二家韩系DRAM厂,已经主导了全球逾50%的DRAM产业营收,光是三星一家就超过30%,台系厂商在景气回春之际,若不设法缩小差距,苦战难以避免。
 

 

 

关键字:DRAM  南科

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0930/article_1428.html
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