延续摩尔定律——Intel制造技术主题演讲

2009-09-24 09:45:41来源: 比特网

      Intel信息技术峰会,美国旧金山——2009秋季Intel信息技术峰会于9月22日至24日在美国旧金山举行。下面是来自Intel的高级副总裁兼技术与制造事业部总经理Bob Baker的讲话,作为第一天主题演讲的主要内容及新闻亮点,他的话语一经发表就在广大技术爱好者中引起了强烈的反响。

      演讲主题:“引领硅技术创新”(Silicon Leadership – Delivering Innovation)

      •    全球第一个可工作的22纳米测试电路:Intel不懈努力寻求延续摩尔定律,让最终用户受益。 Intel公司发布了半导体制程技术中的又一个新突破,在单个芯片上整合更多的特性和更高的性能。

      这就是关于全球第一个可工作的22纳米测试电路的演示。两年前Intel展示了基于前一代32纳米技术可工作的测试电路,而本次峰会则标志着第三代高k金属极晶体管的诞生。最新发布的22纳米技术证明了摩尔定律将继续有效,并引领我们前进。

      -    使用 SRAM 作为测试平台,在处理器和其他逻辑芯片使用该制程技术之前证明其技术性能、工艺良率和芯片可靠性。

      -    Intel 22nm技术现在处于全速发展阶段,按既定步调将“Tick-tock模式”推进到下一代。

      -    该22纳米测试电路包括用于22nm微处理器的SRAM存储器和逻辑电路。

      -    在 364兆位阵列中,有单位面积为0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM单元在工作。0.108平方微米的单元为低电压操作而优化;而 0.092平方微米的单元为高密度而优化,而且是迄今所知电路中能工作的最小的SRAM单元。该测试芯片在指甲盖大小的面积上整合了29亿个晶体管,密度大约是之前32纳米芯片的两倍。

      -    22纳米技术延续了摩尔定律:晶体管更小,每个晶体管能效(性能/每瓦)更高、成本更低。

      •    高k金属栅极技术风靡世界,出货量超过2亿颗:Intel从2007年第4季度开始出货采用高k金属栅极晶体管的CPU,目前仍是唯一一家具备此能力的公司。目前,采用高k金属栅极晶体管的45纳米CPU出货量已将超过2亿颗。Intel的32纳米CPU制程技术已经通过认证,而Westmere CPU晶圆已经进入工厂生产线,计划于第四季度向市场推出。Intel的32纳米技术采用第二代高k金属栅极晶体管,提高了性能并减少了漏电。

      •    研发新动向 – 麻省理工学院的特邀嘉宾:Jesus Del Alamo教授来自麻省理工学院电气工程系,他在本次峰会上探讨了化合物半导体的前景,特别是用于未来逻辑制程的所谓III-V材料。他指出,基于III-V材料的晶体管速度,远超过目前的硅晶体管,而工作电压只有目前的一半(具有大幅降低能耗的潜力)。虽然因面临重大挑战而稍显谨慎,但他注意到,全球越来越多的人在解决这些问题,并且已经取得了很快的进展。

      •    面向片上系统(SoC)的32纳米技术:Intel首次开发了全功能的SoC制程技术,以作为CPU专用技术的补充。该版本为手机、移动互联网设备(MID)和嵌入式产品等应用提供了一系列丰富的功能;它还提供这些市场所需的更广泛的性能与能耗选择。

      •    优化NAND平台:IntelSSD固态硬盘在现有的平台和软件上具有强大的性能。Intel高级院士兼Intel存储技术部门总监Rick Coulson跟大家探讨了Intel在未来固态硬盘改进以及SSD和平台的共同优化上的研究方向,力图在更低成本、更低功耗的基础上达到更好的性能。

      •    制造能力:Intel已经大幅改进了供应链,能够积极、快速地响应客户变更订单的请求——响应速度提高了300%。制造周期减少了62%。仅仅在过去的12个月内,从客户下订单到交货的时间缩短了25%。

 

关键字:摩尔定律  Intel

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0924/article_1383.html
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