美光:NAND不死 挺进1x-nm有望

2009-08-19 10:17:30来源: 电子工程专辑

      在日前的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上,人们普遍对该产业的前途感到悲观。

      有人说,NAND供应商在可预见的未来都将继续亏损。另一些人则认为,新的应用如固态硬碟(SSD)所需的起飞时间远较预期来得长。当然,还包括了一个普遍的认知:NAND的晶片尺寸微缩已接近尾声。

      不过,在这一片惨澹气氛中,美光科技(Micron Technology)的记忆体部门副总裁Brian Shirley提出了他对记忆体产业未来的不同见解。

      Shirley提出的四点看法包括:1. 产业正在复苏;2. NAND仍持续微缩;3. NAND在新兴市场正逐步扩展;4. 与普遍的认知恰好相反,企业用户将采用NAND快闪记忆体──这是由于美光正准备推出称之为eNAND的全新产品线。

      从商业环境角度来看,记忆体市场的衰退情况已有所改善。“有些人认为记忆体场在2009年就会完蛋,但现在看来情况还不算坏,”Shirley对EE Times表示。

      首先,在DRAM方面,由于伺服器与其他市场展现出了令人意外的需求,造成了DDR3 SDRAM的短缺。而DDR3的短缺又导致OEM争相下单DDR2记忆体。“DDR3一直相当吃紧,DDR2亦然,”他说。

      NAND记忆体的价格与需求也正在改善中。Gartner分析师Joseph Unsworth在一份报告中指出,稍早前,“几乎所有密度的NAND现货价格都上升了,不过这主要集中8Gb的SLC型产品,这部份展现了最大幅度的价格上涨。32Gb的MLC产品价格则轻微下滑,这部份主要是回跌7月底的涨价。”预期返校季节的需求将持续提升,而这对消费者支出和信心将发挥重要作用。

      无论任何时候,NAND都会有新的应用,但NAND市场并没有所谓一体化产品,导致制造商必须针对‘特殊市场’开发产品,Shirley说。

      尽管NAND已经是一种通用型商品了。不过,厂商们仍针对嵌入式、行动与相关市场制定不同产品。美光也透露了该公司专为企业用户开发的eNAND产品,据称可为企业提供所需的可靠度与纠错能力。

      除了市场需求与新兴应用等资料,以及根据美光表示仍持续微缩NAND外,目前有关NAND市场并没有进一步的详细情况。部份业界人士相信,NAND将在2x-nm世代达到极限,且业界将出现对于所谓‘通用型记忆体’(universal memory)的需求。

      目前,美光与其NAND合作伙伴──英特尔(Intel)已开始出货34nm的NAND。这两家公司稍早前推出了每单元线3位元(3bit-per-cell line)的34nm NAND快闪记忆体。

      “说NAND已经死亡太夸张了,”Shirley说。“在20nm范围内,我们仍看到了令人难以置信的微缩。”

      事实上,美光、英特尔计划在今年年底推出2x-nm NAND的元件。该元件介于25nm到30nm之间。在实验室内,两家公司已经开发了20nm以下的元件,他补充道,1x-nm的产品是可行的。
 

关键字:记忆体  美光  SSD

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0819/article_1093.html
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