各界看 DRAM 业市场及因应之道

2009-08-12 10:56:48来源: 经济日报

      DDR3需求畅旺,市场缺口本季仍无法满足,南科、华亚科、力晶等本土DRAM厂陆续放大DDR3投片量,抢食商机。

    在英特尔CULV平台带动需求下,DDR3价格走势凌厉。根据集邦科技(DRAMe change)报价,1Gb DDR3现货价格已从第二季末的1.5美元附近,近期已站稳2.15美元以上,本季以来涨幅逾43%。

    尽管DDR2最近也开始展开涨价行情,但现货价仍在1.45美元附近,DDR3与DDR2仍有近五成的价差,价格优势带动下,将有助推升业者营运。

    在DDR3效应推升下,市调机构iSuppli最新研究报告,也把产业评等由「中性」调高至「正面」,预期产业将持续复苏到第四季,明年有机会出现强劲的成长。

    iSuppli认为,由于DRAM市场需求提升,但供应端仍相当有限,带动整个产业气氛转佳,预期全球DRAM厂今年第三、四季的营收季增率都可望超过20%,并在2010年出现强劲的年度成长。

    南科发言人白培霖指出,DDR3由于符合节能减碳潮流,具省电的低电压特性,笔记型电脑、个人电脑及伺服器等,都开始转向使用DDR3,使得近期DDR3市场供给吃紧。

    白培霖透露,南科当下出货状况可说是「供不应求」,因此就算报价偏高,甚至比同业高过一成,客户也愿意收购,以让系统产品顺利出货,预期市场缺货潮将延续到本季末,明年取代DDR2,跃居主流。

    力晶也看好近期DRAM价格稳健攀升,为争取更大获利空间,将从本月21日起取消无薪休假,锁定毛利率较好的DDR3产品扩大投片,积极启动产能,全力争取下半年高毛利商机。

            

关键字:力晶  DRAM  DDR3  CULV

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0812/article_1037.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
力晶
DRAM
DDR3
CULV

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved