DRAM厂40纳米开战 50纳米恐昙花一现

2009-08-10 09:23:36来源: DigiTimes

      台系DRAM厂身陷财务泥淖且制程停留在70纳米制程,然国际大厂却提前引爆40纳米制程大战!三星电子(Samsung Electronics)40纳米制程产品已开始送样,美光(Micron)产品亦趋近成熟,2010年将加入战局,尔必达(Elpida)这次虽没赶上50纳米世代,差点出现世代交替断层危机,公司内部已研拟2010年将略过50纳米世代,直接跳到40纳米,50纳米恐成短命制程,未来真正决战点会是40纳米制程技术。

      三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大厂2009年纷转进50纳米制程,且进入量产出货阶段,然台厂技术却仍停留在70纳米制程,甚至身陷生存危机,然更危急之处在于国际大厂现在都开始布局40纳米制程,2010年40纳米大战确定提前引爆,50纳米技术恐成短命的过渡制程。

      DRAM厂表示,三星不仅维持50纳米制程世代领先地位,更积极研发40纳米产品,且已进入成熟阶段,开始送样给客户进行验证,初期会从6F2技术切入,完全不用更新机器设备,每片晶圆产出可增加20%,相当具成本竞争力,待良率成熟后,再进入高阶4F2技术,40纳米制程将是三星重点布局的秘密武器。

      美光40纳米制程已进入成熟阶段,预计于2010年进入量产,美光是全球第1家导入6F2技术的DRAM厂,在0.11微米制程世代就开始导入,根据美光内部蓝图规画,待40纳米6F2技术成熟后,亦将紧接著导入4F2技术。

      台厂方面,南亚科和华亚科预计2009年下半开始导入50纳米制程,目标2010年底全数产能转进50纳米,且产品线全规划为DDR3,由于转进40纳米所需要机台、铜制程技术等,南亚科和华亚科在规划50纳米制程时,都已配备齐全,因此,后续切入40纳米速度相当快,初期先规划6F2技术,再转进4F2技术,将是唯一有能力同时加入50和40纳米战局的台DRAM厂。

      至于尔必达在这次50纳米制程大战,由于金融风暴袭击,新制程出现断层危机,只能停留在65纳米制程,短期因应对策是研发省钱的制程技术,业界暂称为60纳米制程技术,在不需要购买新机台下,成本可再降20%。尔必达内部已研拟将略过50纳米制程,2010年直接由60纳米跳到40纳米制程,以免落后竞争对手太多。

      RAM厂认为,50纳米未来恐是短命制程,未来真正决战点会是40纳米制程,若DRAM厂此时能募得资金布局40纳米,才有机会在2010年扳回一城。

 

 

关键字:DRAM  40纳米

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0810/article_1016.html
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