三星电子率先量产40纳米DDR3 DRAM

2009-07-22 12:15:30来源: 赛迪网

      7月21日三星电子宣布已经开始量产40纳米2Gb DDR3 Dram。这是该级别产品全世界首次进入量产。同时该产品比去年九月量产的50纳米产品拥有更高的量产性。

      据悉,继2008年9月三星电子在业内首次量产50纳米DDR3 Dram之后,该公司又于2009年1月首次开发出40纳米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量产。三星电子通过不断简化生产工艺缩短生产时间,极大地提高了生产效率和成本竞争力。

      三星电子表示,新一代量产的40纳米产品拥有更高的科技水平和环保型解决方案从而将获得比50纳米产品更高的市场评价。同时为了进一步扩展DDR3内存的市场,三星电子今后将针对区域服务器(16G或8G内存)、小型服务器及个人台式机(4G内存)、笔记本电脑(4G内存)等提供更高效的内存产品。

      半导体市场调查机构I supply提供的数据表明DDR3产品将从目前占整体Dram市场的20%增长到2012年的82%。2G DDR3产品将从目前占整体DDR3市场的5%发展到2012年82%。而作为以生产Dram产品著称的全球第二大半导体厂商,三星电子正是依靠在业内不断率先开发新一代更高容量和性能的Dram产品,确保了其在内存市场的主导地位。

 

 

关键字:三星电子  DDR3  DRAM

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0722/article_887.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
三星电子
DDR3
DRAM

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved