KLA-Tencor : 创新加速

2009-07-15 10:42:44来源: SEMI

      自去年下半年半导体产业陷入低谷时,千方百计削减成本支出似乎成为业内同行们生存的不二法则。然而,对于有远见的公司来说,加大创新和研发的力度则更加“靠谱”。KLA-Tencor借SEMICON West 2009之际推出了两款新型的晶圆缺陷监测系统2835和Puma9550,以及一款新型的电子束再检测系统eDR-5210,以解决3Xnm/2Xnm节点的缺陷问题。
 
      “目前业界正在采用更加复杂和先进的光刻技术,新材料的应用和更苛刻的结构也屡见不鲜。如何处理各种新缺陷和更小的工艺窗口是检测设备面临的巨大挑战。”KLA-Tencor的chief marketing officer Brian Trafas说,“3Xnm/2Xnm节点会有多种多样的缺陷技术问题,很多不仅严重影响良率,而且难以捕捉。此次推出的新机台性能和产能均有大幅提升,可以帮助客户更快的解决难题。”

      与大线宽相比,3Xnm/2Xnm节点时的“良率杀手”通常更小,这些缺陷也更难与诸如图形边缘粗糙度或色差等自然差异区分开来,而这些自然差异属于会影响根源分析的海量“非关键”缺陷。新型的2835系列明场检测平台采用PowerBroadbandTM,这是一种独特的高亮度光源,其设计可实现更多重复捕获难以发现的缺陷,加快检测速度,并更好的区分关键缺陷和非关键缺陷。该机台采用了4类创新技术,即宽频照明、更大的光强、可选的成像模式、方向性电场,其中方向性电场技术更是第一次采用。Brian Trafas坦言,为了满足节点缩小对敏感度的要求,明场光学成像系统毫无疑问的需要创新,研发的主要目标就是提高缺陷监测信号,同时降低噪音干扰。

      对于芯片制造商来说,新产品的上市时间和良率是其盈利的关键。当明场检测系统无法对每个设备工艺层提供最佳检测时,暗场检测技术就成为最好的互补。Puma9550系列暗场检测平台集合了独特的高数值孔径收集光学系统、更大功率的激光、新型的影像获取系统和创新算法,大大提高了产能敏感度。其速度优势可帮助芯片厂尽快达到最先进器件生产的良率目标。

      当前,光学图像的最小缺陷尺度已精确到单个像素,电子束再检测对缺陷检测来说必不可少。eDR-5210电子束缺陷再检测和分类系统支持多种技术和架构的改进,可提升设备的解析度、再检测率、分类精确度和生产力。作为再检测设备,附加了与KLA-Tencor检测系统进阶连接的能力,提高与良率相关的缺陷数据结果,并提高整体生产力。整个过程的自动化可增强可靠性,加快发现问题的速度。

      “虽然受经济大环境的影响,半导体产业的发展有所放缓,但是技术创新却是例外。”Brian Trafas坦言,“新型器件、3D晶体管、高K金属、应变硅等纷纷登上舞台,对良率和检测技术的要求颇高,唯有加速创新才是应对之道。”

 

关键字:半导体  晶圆缺陷监测系统  芯片

编辑:金继舒 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0715/article_838.html
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