三星和东芝延续NAND闪存专利交叉许可协议

2009-06-25 18:58:38   来源:EETimes   

关键字:三星 东芝 NAND 闪存 专利 协议

      Samsung Electronics和Toshiba延长了与NAND闪存相关的交叉许可协议

      这两家公司是全球最领先的两家NAND闪存巨头,Samsung和Toshiba所占的市场份额分别为42%和29.3%。Hynix排名第三,占12.3%的市场份额。

      2007年,Samsung和Toshiba就各自的专利技术展开交叉互换协议。

      上个月,Samsung延长了SanDisk对其的NAND闪存许可,期限长达7年,并将为SanDisk生产一定数量的NAND闪存。据悉,Samsung每年要向SanDisk支付3.5亿美元的专利费。

相关阅读
东芝和SanDisk日本建第3个NAND半导体工厂 2011-07-14
2011半导体成长预期收窄 2011-04-14
东芝震后宣布量产24nm工艺的嵌入式NAND闪存 2011-04-06
Intel不升级新加坡厂 IM Flash公司将关闭? 2011-01-04
英特尔亚太NAND Flash操盘手换将 存储器厂哗然 2010-12-31
东芝计划将系统芯片制造外包给三星 2010-12-24
存储器厂商从提供标准产品向以客户为中心转变 2010-12-22
英特尔合资公司新加坡工厂明年投产 2010-12-19
美光新加坡厂明年投产,NAND Flash卡位战再起 2010-12-19
东芝日本厂跳电 受影响产能恐达20% 2010-12-13
台积电设备供货商ASML调高Q4接单金额预估值 2010-12-12
编辑:王程光
本文引用地址: http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0625/article_715.html
[发表评论]
[加入收藏]
[告诉好友]
[打印本页]
[关闭窗口]
[返回顶部]
[RSS订阅]

小广播

最热点击

专栏

向农,EEWORLD副总编。被英特尔董事长贝瑞特称为“中国可与之对话的两名记者之一”

【详细】

总编随笔
汤宏琳,人皆称为“汤汤”,电子工程世界高级编辑。随着EEWORLD一起成长。

【详细】

汤汤手记
今年,是中国集成电路产业丰收的一年,相比较往年都有大幅提升。

【详细】

凯哥博客

论坛精华

精选博文