英特尔宣布大连芯片厂技术升级至65纳米

2009-06-22 11:07:49来源: 人民网 关键字:英特尔  芯片  晶圆  工艺  65纳米

      正在建设中的英特尔大连芯片厂将采用65纳米制程技术,该技术较以前宣布的90纳米技术更先进。在大连举行的第七届中国国际软件和信息服务交易会上,英特尔半导体(大连)有限公司总经理柯必杰宣布了这一消息。

      英特尔大连芯片厂总投资25亿美元,是英特尔在亚洲建立的首个300毫米晶圆制造工厂。根据2007年英特尔公司与大连市签署的合作协议,这座将在2010年投产的工厂将采用90纳米技术生产制造先进的芯片组产品。此次升级至65纳米制程技术,英特尔称“已达到目前美国政府批准可采用的最高级别的生产技术”,300毫米是半导体行业最先进的晶圆尺寸标准。柯必杰表示,未来大连芯片厂制造的芯片组将面向全球市场,应用在英特尔新型和主流CPU平台上,为最新型的笔记本和台式机,包括流行的超薄型和经济型笔记本电脑产品提供支持。

      柯必杰表示:“大连芯片厂的建设没有受到全球经济衰退的影响,工厂将于2010年如期建成投产。”目前,大连芯片厂的建设正在按计划稳步推进。综合办公大楼和数据中心IT机房已经落成并投入使用。工厂厂房建设将在今年夏末完成,随后进入设备安装和调试阶段。大连芯片厂雇佣的员工人数已经达到500人,计划投产后员工人数将达1200至1500名员工。

关键字:英特尔  芯片  晶圆  工艺  65纳米

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0622/article_683.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:Global Foundries突破22nm节点高K障碍
下一篇:中芯国际管理阶层异动 江上舟任董事长

论坛活动 E手掌握
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
英特尔
芯片
晶圆
工艺
65纳米

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 市场动态 半导体生产 材料技术 封装测试 工艺设备 光伏产业 平板显示 电子设计 电子制造 视频教程

北京市海淀区知春路23号集成电路设计园量子银座1305 电话:(010)82350740 邮编:100191

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2017 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved