全球内存厂商台北聚首,探讨市场趋势

2009-06-09 10:45:42来源: DRAMeXchange 关键字:内存  集邦科技  市场趋势  NAND  DRAM

      集邦科技(DRAMeXchange)于今年台北国际电脑展(Computex Taipei 2009)举办研讨会,与来自二十多个国家的内存领导厂商及众多相关业界人士,分别就全球DRAM、NAND Flash产业以深入探讨。

      集邦内存研究部副总杨雅欣(Joyce Yang)表示,受到2009下半年PC OEM厂商减少库存量,DRAM厂提高产能利用率的影响,市场会有价格方面的压力。预估2009年供应方面的位成长率小于10%,而需求方面的位成长率则是小于20%。

      杨雅欣预估,全球DRAM的产能将维持稳定的年成长率,同时50nm制程的转换是供给方面成长的关键因素。她进一步指出,2010年可能会出现DRAM供给方面位成长率达到20%或30%的情况,而需求方面的位成长率仍小于20%,原因是微软新操作系统Windows7较低的内存用量,以及PC市场的变动。

      杨雅欣进一步指出,若DRAM转移到DDR3规格的需求速度加快,超过DDR3供应方面产能,这种情况下会造成DDR3供给的短缺现象,有助于2010年平均产品单价(ASP)的成长。

      集邦科技NAND Flash分析师陈有裕(Wayne Chen)则指出,在2009上半年供货商方面采取减产计划,加上中国市场需求的适时带动,NAND Flash价格已经从2008年的重挫下复原回来,止跌并回升到芯片成本附近。

      他预估2009年NAND Flash需求会逐渐回温,供货商产能与新技术也会做出调整,并藉由SSD等新应用扩大应用领域,让市场供需状况趋于平衡。他也预估从2009年开始到 2012年,全球NAND Flash产值的年成长率会持续攀升,2012年时年成长率将近3成。

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编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0609/article_613.html
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