全球内存厂商台北聚首，探讨市场趋势 (1)

      集邦科技(DRAMeXchange)于今年台北国际电脑展(Computex Taipei 2009)举办研讨会，与来自二十多个国家的内存领导厂商及众多相关业界人士，分别就全球DRAM、NAND Flash产业以深入探讨。

      集邦内存研究部副总杨雅欣(Joyce Yang)表示，受到2009下半年PC OEM厂商减少库存量，DRAM厂提高产能利用率的影响，市场会有价格方面的压力。预估2009年供应方面的位成长率小于10%，而需求方面的位成长率则是小于20%。

      杨雅欣预估，全球DRAM的产能将维持稳定的年成长率，同时50nm制程的转换是供给方面成长的关键因素。她进一步指出，2010年可能会出现DRAM供给方面位成长率达到20%或30%的情况，而需求方面的位成长率仍小于20%，原因是微软新操作系统Windows7较低的内存用量，以及PC市场的变动。

      杨雅欣进一步指出，若DRAM转移到DDR3规格的需求速度加快，超过DDR3供应方面产能，这种情况下会造成DDR3供给的短缺现象，有助于2010年平均产品单价(ASP)的成长。

      集邦科技NAND Flash分析师陈有裕(Wayne Chen)则指出，在2009上半年供货商方面采取减产计划，加上中国市场需求的适时带动，NAND Flash价格已经从2008年的重挫下复原回来，止跌并回升到芯片成本附近。

      他预估2009年NAND Flash需求会逐渐回温，供货商产能与新技术也会做出调整，并藉由SSD等新应用扩大应用领域，让市场供需状况趋于平衡。他也预估从2009年开始到 2012年，全球NAND Flash产值的年成长率会持续攀升，2012年时年成长率将近3成。