让CMOS集成高压功能,ESD是关口

2009-05-27 18:04:50来源: 电子工程专辑

      一个由英飞凌(Infineon Technologies)和印度孟买理工学院(Indian Institute of Technology, Bombay)组成的联合研究小组,近日宣称可将高电压功能集成在先进的CMOS技术中。

      该联合项目成立于2007年,主要致力于对I/O设备设计领域以及多门MOSFET的45纳米CMOS技术的研究。该联合小组研究人员表示,弱ESD鲁棒性和高ESD应力性,是利用先进CMOS技术制造高压接口(10V或以上)的主要障碍。

      该团队的研究结果表明,设备的高压功能、从USB接口到高压线驱动器,都可以集成在采用45纳米甚至以下的CMOS片上系统。

      英飞凌的ESD研究高级首席工程师Harald Gossner表示,“这次合作对我们在理解一些现有设备的可靠性问题是十分有益的,所提出的解决方案也大大提升了我们的产品性能。”

关键字:ESD  CMOS  英飞凌

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0527/article_551.html
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