NAND厂商排名预测：三星稳居市占龙头 (2)

      在制程技术方面，集邦科技表示，三星目前以42nm和51nm为主要制程生产NAND Flash高容量产品，同时也计划今年第二季底前推出使用42nm制程的3bit/cell 32Gb的NAND Flash产品，第三季中开始采用3xnm制程生产32Gb MLC。

      理论上，3bit/cell MLC虽具有低成本的优点，但在读写速度和耐久性的表现上都不如2bit/cell，且3bit/cell的良率也可能不如2bit/cell。

      东芝及SanDisk阵营目前旗下两座12寸厂的产能多已进入43nm制程，并计划在今年第三季中开始采用32nm制程技术小量生产32Gb MLC，计划下半年使用32nm制程技术生产3bit/cell MLC产品。

      东芝初期会先以低价的记忆卡及UFD等应用市场为主，但SanDisk因为是3bit/cell & 4bit/cell技术的倡导者，且自身也以记忆卡及UFD销售为主，所以在这些产品的推广及应用比例上会比其它厂商积极。

      IMFT今年首季正式量产34nm制程技术生产32Gb MLC，暂时取得NAND Flash制程技术领先的地位，计划在2010上半年才会开始使用2xnm制程技术，生产更高容量6?Gb MLC的产品，以开发2xnm制程的2-bit/cell为优先考量，对3-bit/cell MLC则以研发为主。

      IM Flash也已将微影设备技术由4xnm级的浸润式微影设备世代,推进到3xnm级双重图形曝光技术的世代。

      海力士目前仅有一座12寸厂M11，今年第二季进入41nm制程小量试产32Gb MLC产品，等到41nm制程技术和良率稳定后，预计在下半年正式量产。海力士也计划采用48nm的制程技术先行试产3bit/cell MLC产品，然后逐渐转进到41nm制程。