台积电承认40纳米工艺遭遇障碍

2009-05-05 11:16:06来源: 网易 关键字:台积电  40纳米工艺  障碍

      在公布最新季度财报的同时,台积电也第一次公开承认,其40nm制造工艺碰到了一些麻烦。

      台积电在去年底基本准时地上马了40nm生产线,并在今年第一季度贡献了大约1%的收入,高于预期水准,预计今年第二季度会达到2%左右。

      台积电CEO蔡力行在回答分析师的提问时说:“良品率是有些问题。对制造商而言40nm是一项非常困难的技术。(不过)我们已经找到了问题的根源,并且已经或正在解决。”

      结合此前消息,台积电40nm工艺可能无法很好地控制漏电率,难以制造高性能GPU芯片,不过蔡力行并未详加说明,只是声称台积电已经完成了基于28nm工艺的可用SRAM单元,预计2010年第一季度开始启用这种新工艺,届时会带来高K介质和金属栅极技术。

      蔡力行还在会议期间对今年的多个行业进行了展望:IC产业跌20%、代工产业跌25-30%、PC出货量跌8%、手机出货量跌12%、消费电子产品出货量跌7%。

      今年第一季度台积电收入395.00亿新台币(¥81.26亿元),环比减少38.8%、同比减少54.8%,净利15.59亿新台币(¥3.21亿元),环比减少87.5%、同比减少94.5%。台积电将此糟糕业绩归咎于全球经济低迷导致客户调整库存,半导体行业需求全面锐减。

      就生产工艺而言,0.13微米依然撑起了台积电总收入的65%,其次是90nm 25%、65nm 23%、4540nm1%。

      竞争对手联电一季度亏损81.6亿新台币,相比上季度的235.1亿新台币大为减少,并预计今年第二季度即可重新盈利,同时生产线开工率已从30%升至75%。

关键字:台积电  40纳米工艺  障碍

编辑:王程光 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/manufacture/2009/0505/article_429.html
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