东芝推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET

2017-03-20 10:34:36来源: EEWORLD 关键字:东芝  EMI  600V/650V  超结N沟道  功率  MOSFET

东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出EMI性能更佳的600V/650V超结N沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。该新“DTMOS V系列”最初将提供12款产品。样品发货即日启动,批量生产发货计划于3月中旬启动。



该新系列拥有与东芝当前的“DTMOS IV系列”相同水平的低导通电阻、高速开关性能,同时,其优化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB[1]。而且,降低的单位面积导通电阻(RON x A)性能使新的650v 0.29Ω产品可使用DPAK封装。该新系列产品适用于需要高效率和小体积的工业和办公设备电源、笔记本电脑和移动设备适配器和充电器以及电脑和打印机。



[1] 在150-210MHz,使用东芝评估板。东芝调查。


关键字:东芝  EMI  600V/650V  超结N沟道  功率  MOSFET

编辑:杜红卫 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/article_2017032010614.html
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