东芝推出新款IGBT/MOSFET门驱动光电耦合器

2013-01-11 00:15:22来源: 互联网
东芝公司今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器,可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。新产品TLP250H的最大传输延迟时间为500ns,光电耦合器间的传输延迟偏差为150ns,这样的性能可减少逆变电路的死区时间(dead time),提高效率。新产品使用了寿命超长的新LED,可支持-40°C至125°C的工作温度。此外,该耦合器可将最低工作电压降至10V(东芝此前型号的最低工作电压只可降至15V),进而有助于降低功耗。该耦合器可应用于一系列产品中,包括高温环境中使用的工业设备,家用太阳能光伏发电系统,数码产品以及测量与控制仪器。该产品的样品现已推出,并计划于2月份投入量产。

应用

IGBT/功率MOSFET门驱动器,功率调节器,通用逆变器,IH(感应加热)设备,等等。

主要特性

1. 工作电压:VCC=10 - 30V

2. 传输延迟时间:tpLH, tpHL=500ns (最大值)

3. 传输延迟偏差:±150ns (最大值)

4. 宽广的保证工作温度范围:Topr=-40°C - 125°C

5. 峰值输出电流:IOP=±2.5A (最大值)

6. 低输入电流:IFLH=5mA (最大值)

7. 隔离电压:BVS=5000Vrms (最小值)

8. 共模瞬态抑制:CMR=±40kV/μs

关键字:东芝  驱动

编辑:心随风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2013/0111/article_9733.html
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