霍尔磁敏传感器的原理及应用

2013-01-08 00:27:30来源: 21ic

1引言

由霍尔效应的原理知,霍尔电势的大小取决于:

Rh为霍尔常数,它与半导体材质有关;IC为霍尔元件的偏置电流;B为磁场强度;d为半导体材料的厚度。

对于一个给定的霍尔器件,Vh将完全取决于被测的磁场强度B。

一个霍尔元件一般有四个引出端子,其中两根是霍尔元件的偏置电流IC的输入端,另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路,就会产生霍尔电流。一般地说,偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出;若精度要求高,则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度,有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的坡莫合金;这类传感器的霍尔电势较大,但在0.05T左右出现饱和,仅适用在低量限、小量程下使用。

近年来,由于半导体技术的飞速发展,出现了各种类型的新型集成霍尔元件。这类元件可以分为两大类,一类是线性元件,另一类是开关类元件。

2线性霍尔元件的原理及应用

UGN350lT是一种目前较常用的三端型线性霍尔元件。它由稳压器、霍尔发生器和放大器组成。用UGN350lT可以十分方便地组成一台高斯计。其使用十分简单,先使B=0,记下表的示值VOH,再将探头端面贴在被测对象上,记下新的示值VOH1。

ΔVOH=VOH1-VOH

如果ΔVOH>0,说明探头端面测得的是N极;反之为S极。UGN3501T的灵敏度为7V/T,由此即可测出相应的被测磁感应强度B。

如果采用数字电压表(DVM),可得图1所示的线性高斯计。运放采用高精度运放CA3130。该电路的具体调零方式为:开启电源后,令B=0,调节W1使DVM的示值为零,然后用一块标准的钕铝硼磁钢(B=0.1T)贴在探头端面上,调节W2使DVM的示值为1V即可。本高斯计检测时示值如果为-200mV,则探头端面检测的是S极,磁场强度为0.02T。本高斯计也可用来测量交变的磁场,不过DVM应改为交流电压表。显然使用图1的电路可以很方便地扩展普通数字万用表的功能。

 

 

用UGN3501T还可以十分方便地组成如图2所示的钳形电流表。将霍尔元件置于钳形冷轧硅钢片的空隙中,当有电流流过导线时,就会在钳形圆环中产生磁场,其大小正比于流过导线电流的安匝数;这个磁场作用于霍尔元件,感应出相应的霍尔电势,其灵敏度为7V/T,经过运放μA741调零,线性放大后送入DVM,组成数字式钳形电流表。该表的调试也十分简单:导线中的电流为零时,调节W1、W2使DVM的示值为零。然后输入50A的电流,调W3使DVM读数为5V;反向输入-50A电流,数字表示值为-5V。反复调节W1、W2、W3,读数即可符合要求。本钳形电流表经实验,其灵敏度不小于0.1V/A,同样,本电流表也可用于交流电流的测量,将DVM换成交流电压表即可,十分方便。

 

[1] [2]

关键字:霍尔  原理  应用

编辑:心随风 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2013/0108/article_9711.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
霍尔
原理
应用

小广播

独家专题更多

富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
带你走进LED王国——Microchip LED应用专题
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved