IR 推出第八代 1200V IGBT技术平台

2012-11-16 14:50:18来源: EEWORLD 关键字:IR  第八代  IGBT技术平台

    全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。

    全新的Gen8设计可让高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台,彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频,以期更有效地使用电能及绿化环境。”

    新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能,有助于把dv/dt降到最低,从而减少电磁干扰、抑制过压,从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄,在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时,可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°C的最高结温。

    潘大伟补充道:“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越技术。该IGBT平台凭借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能,使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。”

    欲了解更多信息,请浏览IR网站 www.irf.com。

    产品供应

    IR Gen8 1200V IGBT平台的样本已开始提供给各大原始设备制造商 (OEM) 及原始设计制造商 (ODM) 合作伙伴。


    商标
 
    IR®是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。


关键字:IR  第八代  IGBT技术平台

编辑:huimin 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2012/1116/article_9675.html
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