IR 推出第八代 1200V IGBT技术平台

2012-11-16 14:50:18来源: EEWORLD

    全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。

    全新的Gen8设计可让高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台,彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频,以期更有效地使用电能及绿化环境。”

    新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能,有助于把dv/dt降到最低,从而减少电磁干扰、抑制过压,从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄,在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时,可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°C的最高结温。

    潘大伟补充道:“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越技术。该IGBT平台凭借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能,使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。”

    欲了解更多信息,请浏览IR网站 www.irf.com

    产品供应

    IR Gen8 1200V IGBT平台的样本已开始提供给各大原始设备制造商 (OEM) 及原始设计制造商 (ODM) 合作伙伴。


    商标
 
    IR®是国际整流器公司 (International Rectifier Corporation) 的注册商标。文中所提及其它产品名称均为对应持有人所有的商标。


关键字:IR  第八代  IGBT技术平台

编辑:huimin 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2012/1116/article_9675.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
IR
第八代
IGBT技术平台

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved