华虹NEC成功开发具超高可靠性的嵌入式非挥发性存储器模块

2012-02-21 09:15:34来源: 21IC

    世界领先的纯晶圆代工厂之一,上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)今天宣布,基于公司成熟的0.13微米SONOS嵌入式存储器工艺平台,已成功开发出了具有超高可靠性(UHR- UltraHighReliability)的嵌入式非挥发性存储器模块(EEPROM/FlashIP),使0.13微米SONOSEEPROM /FlashIP的数据保存时间从常规的10年提升到了超过30年,而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0.13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势,巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的领导厂商地位。

   华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示:“华虹NEC长期以来致力于嵌入式非挥发性存储器工艺的研发和生产,从0.35微米EEPROM工艺到0.13微米SONOSEEPROM/Flash工艺,一直保持代工领域嵌入式非挥发性存储器技术的全球领先地位。针对目前金融IC卡、M2MSIM、智能电表等高端市场对产品高可靠性提出的需求越来越多,要求也越来越高,华虹NEC在0.13微米SONOSEEPROM/FlashIP现有的高性能、超低功耗和超小的面积等众多竞争优势的基础上,又持续进行创新和升级,推出了具备超过30年数据保存时间和50万次数据擦写能力的EEPROM/Flash模块。这次技术的提升能帮助客户进一步巩固其产品的市场竞争力,并支持客户的产品在未来能进入更高端的应用市场。今后,华虹NEC还将在工艺的研发和技术的创新上持续投入,不断地扩大现有的市场竞争优势与领导地位。”

关键字:成功  开发  可靠性  存储器

编辑:eeleader 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2012/0221/article_9333.html
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