“基于纳米结构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究”通过验收

2011-12-15 15:49:11来源: 互联网
科技部组织专家在北京对由上海微系统与信息技术研究所主持承担的国家重大科学计划项目“基于纳米结构的相变机理及嵌入式PCRAM应用基础研究”进行了验收。中科院院长白春礼院士、中国科技大学校长侯建国院士、中山大学校长许宁生院士等十多位专家、科技部基础研究司主管领导,以及中科院上海高等研究院院长、项目首席科学家封松林研究员,上海微系统所所长助理宋志棠研究员、北京工业大学韩向东教授等参加了验收会。

验收会由白春礼主持。封松林研究员首先从相变存储器总体介绍、项目总体目标及组织管理、任务目标完成情况与代表性成果、研究队伍与人才培养及项目实施效果五个方面作了总体汇报。宋志棠研究员与韩向东教授分别介绍了代表性成果。汇报结束后,与会专家领导仔细观摩了由项目团队自主研制得8M相变存储器试验芯片的音频演示系统,并听取了该芯片录制的《东方红》歌曲,白春礼还进行了现场演示录音。随后,与会专家就相关问题进行了质询。

与会专家认为,在本项目的支持下,经过承担单位科研人员五年的攻关,该项目在新型相变材料、纳米加工工艺、新型器件结构与模拟仿真、外围驱动电路设计、工艺集成与选通驱动器件优化等关键核心技术方面取得了一批突破,打破了国际大公司对该领域的垄断,所取得的具有我国自主知识产权的科研成果为相变存储技术实现大规模的商业化应用奠定了坚实的理论和技术基础。项目实施过程中,牵头单位通过与其它科研院所、国际知名企业的紧密合作,开辟了一条产学研相互配合,充分发挥各自优势,形成强大研究、开发与生产能力的新途径。

关键字:通过  验收

编辑:eeleader 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2011/1215/article_9023.html
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