富士通半导体推出0.18 µm 技术SPI FRAM

2011-08-05 08:52:23来源: 互联网 关键字:推出  技术

     21ic讯 7月19日,富士通半导体(上海)有限公司宣布推出基于0.18 µm 技术的全新 SPI FRAM产品家族,包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A这3个型号,并从即日起开始为客户提供样片。

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FRAM (Ferroelectric Random Access Memory 铁电随机存储器)将SRAM 的快写与闪存的非易失性优势集中在一块芯片上。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3个型号:MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A,分别代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三个密度级。3个芯片的工作电压范围在3.0 ~ 3.6V,读写周期为100亿次,数据保存在55°C的条件下可达10年,且其工作频率大幅提高到最大25MHz。由于FRAM产品在写处理时无需电压增压器,非常适合低功率应用。该产品提供具有标准存储器引脚配置的8引脚封装,完全兼容E2PROM芯片。

FRAM独立存储芯片可广泛用于计量、工厂自动化应用以及需要数据采集、高速写入和耐久性的行业。对客户来说,FRAM不仅可以取代所有使用电池支持的解决方案,同时也是一款绿色环保的产品。除 SPI FRAM家族之外,富士通半导体还提供带I²C和并行口的FRAM独立芯片,密度级从16Kbit到4Mbit不等。此外,富士通还计划进一步扩展FRAM组合以满足市场需求。凭借领先的技术开发和完善的制造工艺,富士通半导体不断优化产品设计,并加强与工厂间的密切合作,为向市场稳定地提供高质量产品打下了基础。

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编辑:eeleader 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2011/0805/article_7774.html
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