Ramtron推出速度更快1 Mb并行F-RAM

2008-11-18 10:47:18来源: 电子工程世界

Ramtron International Corporation宣布推出并行和串行F-RAM系列中的首款并行产品,提供更高速的读/写性能、更低的工作电压和可选器件的特性。RamtronV系列F-RAM产品中的最新器件FM28V100,是1兆位 (Mb)2.03.6V并行非易失性RAM,采用32TSOP-I封装,具备快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的读写次数和低功耗特性。FM28V100工业控制、仪表、医疗、汽车、军事、游戏、计算机及其它应用领域中,由1Mb电池支持SRAM存储器升级的理想产品。

 

Ramtron市场拓展经理Duncan Bennett解释道:FM28V100Ramtron二进制宽产品系列增添了成本更低、性能更高的1Mb替代产品,为希望在系统中省去电池或外部电容器的电池支持SRAMNVSRAM用户提供了简便的升级途径。

 

关于FM28V100

FM28V100128K x 8非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM),读写操作与标准SRAM相似,并可在掉电后保存数据。FM28V100提供超过10年的数据保存,能够消除来自电池支持SRAM (BBSRAM) 可靠性、功能缺点及设计复杂性问题。从系统中去除电池,可让系统在更宽泛的工作温度范围运作,而且有利于环保。F-RAM具有快速写入和几乎无限的写入耐用性,比其它类型的存储器更加优胜。

 

FM28V100的系统内运作与其它RAM器件相似,可用作标准SRAM的普适型 (drop-in) 替代产品。通过转换芯片引脚或简单地改变地址,即可触发读/写循环。F-RAM存储器采用独特的铁电存储工艺,因而具有非易失性,适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。FM28V100可在-40°C+85°C的整个工业温度范围工作。

 

关于F-RAM V系列

RamtronV系列F-RAM产品采用Ramtron和德州仪器共同开发的先进130nm CMOS生产工艺制造,可实现器件的性能提升,当中包括:

·   升级的存储器性能:通过推出FM28V100,将1Mb并行存储器的周期时间从150ns减少至90ns,较Ramtron现有的1Mb并行F-RAM存储器提升60%。与Ramtron现有的串行F-RAM产品相比,SPII2C串行V系列F-RAM产品的读/写性能提升了二至三倍。

·   更低、更宽泛的工作电压范围德州仪器采用130ns F-RAM生产工艺所带来的技术进步,F-RAM V系列现提供将F-RAM工作电压调低至2.0V 的灵活性,让F-RAM可在更多的电子系统中以原有的工作电压运作。

·   写入保护特性: 并行F-RAM V系列产品具有软件控制的写入保护功能,其存储器阵列分为8个相同的模块,每个模块可在软件控制下各自实现写入保护,而无需更改硬件或引脚输出(pin-out)

·   器件IDV系列中的串行F-RAM产品具有一个24位器件ID,这是Ramtron产品所独有的,以防止产品出现伪造。

·   独特的序列号V系列中的串行F-RAM产品采用64位的序列号订购,由一个16位客户ID40位独特代码,以及需要独特的电子编号的8位循环冗余码系统校验所组成。

·   可定制的重置电压:V系列串行F-RAM备有多种重置电压,从2.14V3.09V

 

Ramtron现提供符合RoHS标准的32TSOP-I封装FM28V100

关键字:推出  速度更快  并行

编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2008/1118/article_1374.html
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