IDT 推出更低功耗的下一代双口RAM

2008-07-23 10:27:03来源: 电子工程世界

IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc今天宣布,其不断扩大的多口RAM系列又添两个新型双口RAM器件。从工业控制到医疗成像和通信,新的 9Mb 4Mb 双端口器件可实现高达 200MHz 的性能,以满足苛刻的存储器缓冲要求。这两款器件采用 1.8V 内核电压,比现有解决方案的功耗更低。

 

 

 

双端口器件集成了存储器和控制逻辑,可以通过独立端口实现对通用中央存储器的同时存取。该IDT 解决方案有助于客户通过解决芯片间连接问题,增加带宽并降低设计复杂性,同时通过使用经过验证的成熟器件,实现快速上市。

 

IDT 公司流量控制管理部门市场总监 Carl May 表示:“IDT一直积极寻找改善我们现有产品的方法,为我们的客户提供不断进化的升级,在其未来的设计顾虑变成问题之前,帮助他们排除这些顾虑。这些新器件为我们的客户提供了性能和功耗上的显著改善。

 

性能和优势

新的 9Mb IDT 70P3519 4Mb 70P3599 是高速 256K/128K x 36 位同步双端口器件。两款器件可提供完整的同步功能,有助于 IDT 的客户优化其设计,获得更高的性能和更低的功耗。此外,这两款器件还有助于客户同时存取单个存储器地址,而无需外部器件。同步功能包括计数器、多个独立的芯片使能字节使能(byte enable及同步中断。此外,控制寄存器、数据和地址输入可实现最短的设置和保持时间,以便使产品更快上市。通过采用输入数据寄存器,这两款双端口器件为具有单向或双向数据流突发的应用进行了优化。一个由 CE0 CE1 芯片使能引脚控制的自动掉电特性,可允许每个端口的片上电路进入一种非常低待机功耗的模式。

 

能够支持一个或两个端口上3.3V2.5V 1.8V I/O 电压。这两款器件的内核电源VDD)为 1.8V。欲了解更多关于该产品信息,请浏览网页:www.idt.com/go/synch-dp

 

封装和供货

为了方便 IDT 客户采用,IDT 70P3519 70P3599 采用与现有 IDT 双端口解决方案一样的封装:256 引脚球阵列(BGA)、208 引脚塑料方PQFP)和 208 引脚细间距球栅阵列(fpBGA)。

关键字:推出

编辑:孙树宾 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2008/0723/article_1093.html
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