一种实现RS 422通信协议的接口电路

2008-04-01 18:26:26来源: 时间:

  目前通用的串行通信接口标准主要有RS 232,RS 422和RS 485,其中RS 232属于单端不平衡传输协议,传输距离短,抗干扰性差;RS 485与RS 422均为平衡通信接口,但RS 485他只有一对双绞线,工作于半双工模式。RS 422属于一种平衡通信接口,采用全双工通信模式,传输速率高达10 Mb/s,传输距离长2 000 m,并允许在一条平衡总线上连接最多10个接收器[1]。由于该类电路的优异性能,RS 422接口芯片已广泛应用于工业控制、仪器、仪表、多媒体网络、机电一体化产品等诸多领域。

  1 系统概述

  RS 422通信接口芯片系统框图如图1所示,主要包含数据发送模块和接收模块。接收模块主要是将通信总线差分电压转换成数字量送给主机,发送模块主要是将主机发送的数字量转换成差分电压输出。DIN是TTL/CMOS信号输入端口,TX1,TX2为相应的差分信号输出端。RX1,RX2为差分信号输入端口,DOUT为TTL/CMOS电平输出口。EN为使能输入端,通过使能模块控制整个芯片的工作与否。此外还含有温控模块,在高温下关断芯片,起到过热保护的作用。

  2 电路设计

  根据RS 422通信规范的描述,数据发送端使用2根信号线发送同一信号(2根线的极性相反),在接收端对这两根线上的电压信号相减得到实际信号。逻辑"1"以两线间的电压差为+(2~6 V)表示,逻辑"0"以两线间的电压差为-(2~6 V)表示。

  

  

  因此,发送器的目的就是要接收TTL/CMOS信号并把他转换为一对符合要求的差分信号,而接收器则与之相反。

  2.1发送器电路的设计

  发送器电路的设计有2种方法,一种不限摆率,发送数据速度可达10 Mb/s,但受信号在传输线上的反射(re-flection)、电磁干扰(electron magnet interference)的影响,传输距离较短;另一种采取限摆率技术,通过降低数据传送速度达到长距离传输的目的[2]。本文采取第一种方法。

  在CMOS工艺下,这种电路很容易实现,关键是选择具有合适尺寸的电路使其符合输出电流及功率要求。如图2所示为本文设计的电路图,电路要求是输出电平同TTL电平的兼容,所以输功率管采用的都是NMOS管。

  图2中DIN为数据输入端,EN为使能端,EN为高电平时电路工作。当DIN为高时,N0及N3导通而N1,N2截止,T1输出高电平而T2输出低电平。反之,若DIN为低时,N0及N3截止而N1,N2导通。这样,逻辑控制电路便将标准的TTL/CMOS信号分为2路大小相等,相位相反的差分信号T1和T2。为提供合适的驱动电流,输出管采用较大的尺寸。

  

  

  2.2接收器电路设计

  接收电路接收RS 422的标准差分信号并将其转化为CMOs/TTL电平,其核心电路为一比较器[3],主要功能是完成差分信号R1,R2的比较,若R1>R2,则输出高电平1,若R1

  如图3所示,P14~P16与N14,N15构成启动电路,P12,P13与N12,N13,R0构成偏置电路,P0~P6与。N0~N5为比较电路,该比较器利用内部正反馈实现迟滞电压控制[4],以防止受噪声干扰造成输出端的频繁跳变。迟滞电压可通过调节N0,N1,N2,N3的宽长比来实现。以N1,N2支路为例,阐述阈值电压的推导:当R1为高,R2为低时,P1及N1,N2支路导通:R2不断降低,与R1差值达到VTRP输出跳变:

  

  

  本文选择100 mV的迟滞电压,有效保证了系统的稳定性。由比较器输出的电压,经过施密特触发器及反相器整形后,成为标准的方波信号输出。

  2.3过温保护电路的设计

  过温保护电路如图4所示。

  

  

  电路中使用与发送电路中结构相同的迟滞比较器,设置了95℃和135℃两个温度跳转点,消除了热振荡现象。

  温度保护电路的工作原理如下:N5,N6,P2,P3,P4, Q3,Q4及R4,R3,R1构成基准发生电路,Y为基准电压输出点。由于共源共器件的作用,N5,N6源端电位近似相等,可得:

  其中n为Q4,Q3发射极面积之比,取R2=R3,则:

  基准电压[5]:

  通过调节R2与R1的比值使基准电压具有零温度系数,调节R4的值使输出合适的基准电压值。

  X点电压大约为3VBE,由于VBE是一个具有负温度系数的量,因此随温度的上升而下降。常温时,X点电位高于Y点电位,OUT端输出高电平,芯片正常工作。当温度上升至135℃时,X点电位低于Y点电位,比较器输出低电平,芯片关断。当芯片温度再次下降,低到95℃时,比较器再次翻转,芯片恢复正常工作。

  3 仿真结果

  3.1发送电路的仿真

  波形从上至下依次为:使能信号EN、输入波形、TX1、TX2、负载电阻电流。从图5中可以看出,发送器电路能够将一路CMOS信号转换为一对大小相等、方向相反的差分信号。在带100 Ω负载时,输出高电平为3 V,低电平0.3 v,负载电流27 mA,延迟9 ns上升时间4 ns,下降时间5 ns。使能信号EN为低时,电路不工作。

  

  

  3.2接收电路的仿真

  图6给出了接收电路的仿真情况,他能够将差分信号转换为标准CMOS电平,延迟大约为2 ns,上升约为0.5 ns,下降时间约为1 ns,迟滞电压约为1 00 mV。

  

  

  3.3过温保护模块的仿真

  对温度保护电路在0~140℃范围内进行扫描可得如上曲线,当芯片温度上升至大约在135℃时,温度保护模块输出低电平,关断芯片。当芯片温度下降至95℃时,温度保护模块输出电平跳变,芯片恢复正常工作。

  4 版图设计

  (1)为了防止电阻寄生的PN结正向导通,图4比较电路中R1,R2,R3,R4不能选取有源区电阻,只能选取多晶硅电阻。绘制时要注意匹配,如采用1∶2∶4的匹配方式。为了保证所有电阻所处的光刻环境一样,还在电阻阵列2边增加了dummy电阻。

  (2)对称性设计:电路中所有对称的MOS管及PNP管都要注意匹配,绘制版图时,可以把一个大的MOS管分成若干小管,采用共质心对称的方式以避免工艺的横向偏差和纵向偏差的影响,并添加dummy管。对于PNP管,如发射极面积比为1∶8的Q4和Q3,可采用1∶8的排列方式,即将Q3分成8个相同的PNP管,对称排列在Q4周围。

  (3)ES[)设计:ESD不仅仅要在放在I/O PAD旁,VDD及GND之间的ESD保护同样要引起高度注意,这可以通过添加sLtpply clamp电路实现。ESD器可采用LVTSCR结构以获得更加稳定的性能。

  (4)输山功率管设计:对于驱动器部分的输山火功率管,采用又指晶体管的设计方式,以减少漏源结面积和栅电阻。

  (5)保护环设计:为保护一些结构,要在适当的电路外围添加保护环。本芯片采用P衬底N阱工艺,有2种保护环,N阱的周围应该加吸收少子电子的N型保护环(nt-ap),ntap环接VDD,隔离衬底噪声;P衬底的周围应该加吸收少子空穴的P型保护环(ptap),ptap环接gnd,吸收衬底噪声。而且双环对少子的吸收效果比单环好。添加保护环可有效防止闩锁效应的发生。由于电路中功率管宽长比较大,其上的电流及消耗的功率也较大,容易干扰其他电路,因此需要在功率管及附近的电路的周围分别都添加保护环。

  5 结 语

  设计了一款适用于RS 422通信协议的接口芯片,他具有高传输速率、大驱动电流、低静态关断电流的特点,且具有多种保护电路,能抵抗恶劣环境,可广泛用于各类数据通信领域。

 

关键字:RS  基准电压  接收电路  摆率  比较电路  负载电阻  方波信号  电阻阵列  负温度系

编辑:ssb 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/gykz/2008/0401/article_722.html
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