Fairchild 助力古瑞瓦特光伏逆变器实现业界领先的功率密度

2016-01-07 18:18:18来源: EEWORLD
光伏逆变器行业领导者在其下一代逆变器中采用 Fairchild 的 4L 封装 650 V 沟槽型场截止IGBT
 
高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 今日宣布其650 V 沟槽型场截止 IGBT应用于古瑞瓦特新能源公司最新一代光伏逆变器中,该公司是家用和商用逆变器的顶级制造商。由于使用了 Fairchild 的 IGBT,古瑞瓦特将其新型 5K-HF 逆变器的功率密度与以前型号相比提高了 20%。
 
古瑞瓦特副总裁兼研发总监吴良材表示:“我们的新一代太阳能逆变器在业界率先采用 Fairchild 的TO247 4L 封装 IGBT,通过使用 IGBT 晶圆和 4L 封装工艺新技术,我们能够通过大幅提高驱动信号的开关频率,充分利用 IGBT 的特性,从而获得卓越的安全工作区,而且不会显著增加半导体的损耗。此外,我们还可以使用更小的磁性元件,从而显著减小系统尺寸并增强性价比。”
 
Fairchild 高功率工业事业部副总裁赵进说:“古瑞瓦特这样的业界领导者在其超高效率的下一代光伏逆变器中采用我们的 650V 场截止沟道IGBT,这为我们的 IGBT 特性和功能树立了好的榜样,这些 IGBT 采用 Fairchild 的创新型场截止技术,为要求较低导通和开关损耗的光伏逆变器、UPS、电焊机、通信、ESS 和 PFC 应用提供最优性能。”
 
古瑞瓦特总裁丁永强表示:“提高逆变器的效率和功率密度是古瑞瓦特研发人员一直以来的目标。半导体技术的进步显著减少了我们的逆变器所需的金属部件的比例,这会导致多种好处,包括较小的产品尺寸、较轻的重量、更低的成本,和更方便的运输和存储。我们会基于这次成功继续进步,并继续在我们的光伏逆变器开发中采用先进技术,从而为客户提供更多价值以及更佳的效率和功率密度。我们采用更高的开关频率开发了新的 5K-HF 逆变器,这是一个更优的布局,使用新的磁性材料,提供业界领先的效率,功率密度提高了 20% 以上。Fairchild 的 650V 沟槽型场截止 IGBT 采用的新 IGBT 技术和创新型封装,帮助我们实现了这些。

关键字:Fairchild

编辑:冀凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_26408.html
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