ST推出新款功率MOSFET,实现更小、更环保的汽车电源

2015-12-23 18:36:06来源: EEWORLD 关键字:ST  MOSFET  汽车
    中国,2015年12月23日——意法半导体STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)针对汽车市场推出了新系列高压N沟道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内置快速恢复二极管的MDmeshTM DM2超结制造工艺,击穿电压范围为400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。
 
 
    400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首个获得AEC-Q101认证的功率MOSFET,而600V和650V产品性能则高于现有竞争产品。全系列产品专为汽车应用设计,内部集成快速恢复体二极管(fast body diode)、恢复软度系数更高的换向行为(commutation behavior)和背对背栅源齐纳(gate-source zener)二极管保护功能,是全桥零压开关拓扑的理想选择。
 
    意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr(反向恢复时间) / Qrr(反向恢复电荷)比和恢复软度系数表现最好的功率MOSFET,同时也拥有最出色的高电流关断能量(Eoff),有助于提高汽车电源能效。此外,内部快速体二极管的性能表现亦十分出色,有助于降低EMI电磁干扰,让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波器件。MDmeshTM DM2技术通过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低,从而使能效最大化、终端产品的尺寸最小化。
 
意法半导体的新款车用功率MOSFET拥有以下主要特性:
 
快速恢复体二极管
极低的栅电荷量及输入电容,500V D2PAK产品的栅电荷量及输入电容分别为44nC和 1850pF
低导通电阻
最短的Trr(反向恢复时间):600V TO-247在28A时是120ns;650V TO-247在48A时是135ns
栅源齐纳二极管保护

关键字:ST  MOSFET  汽车

编辑:刘东丽 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_26399.html
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