2017功率晶体管市场摆脱阴霾 创136亿美元新高

2017-09-29 15:35:30编辑:冀凯 关键字:功率晶体管

据国外媒体报道,市场研究机构IC Insights,功率晶体管市场已摆脱五年来由于经济不确定性和价格因素带来的不景气。2017年,功率晶体管市场总规模将达到创纪录的136亿美元,上一次功率晶体管市场新高诞生在2011年,为135亿美元。

2017年晶体管市场增长率将达6%,历史数据显示,2016年该市场增长率为5%,2015年则下滑了7%,之前的五年中共计出现三次年营收下滑。


     


IC Insight表示,现在的功率晶体管市场已经区域稳定增长态势。

功率晶体管在230亿美元的半导体分立元件市场中占有最大的市场份额。根据报告,近年来在全世界范围内,为了提高效率,功率晶体管在消费、商业和工业系统中的变得越来越重要。

预计2017年,所有类型的功率晶体管都将增长,其中MOSFET预计增长6%至近77亿美元,IGBT产品预计将增长6%美元至41亿,双极型晶体管预计将增长4%至8.75亿美元左右,射频/微波功率晶体管模块销售预测上升3%至9.6亿美元,根据营收报告,一个光电市场综合分析与预测,传感器/执行器和半导体分立器件。

关键字:功率晶体管

来源: EEWORLD 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2017092927754.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。

上一篇:快充动力电池会走向没落吗
下一篇:中国动力电池格局:占比70% 或将主宰2400亿美元全球电池行业

关注eeworld公众号 快捷获取更多信息
关注eeworld公众号
快捷获取更多信息
关注eeworld服务号 享受更多官方福利
关注eeworld服务号
享受更多官方福利

推荐阅读

Ampleon推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管

荷兰奈梅亨 – 2011年2月8日,安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用于900到930MHz ISM频段中的工业加热连续波(CW)射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装,结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间,从而降低了放大器设计的成本。由于其高工作效率——通常高于68%,其冷却需求也保持在最低限度,这有助于进一步降低所需的空间。BLF0910H9LS600具有高增益的优势
发表于 2018-02-09 19:45:59

SOT502ISM频段小型射频功放晶体管为射频能量应用提供600W功率

荷兰奈梅亨 – 2011年2月8日,安谱隆半导体(Ampleon)今天宣布,推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器晶体管。这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS工艺的射频能量晶体管——该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用于900到930MHz ISM频段中的工业加热连续波(CW)射频能量应用。该晶体管采用小型陶瓷SOT502封装,结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最佳工作效率的优势。此举减少了所需的空间,从而降低了放大器设计的成本。 由于其高工作效率——通常高于68%,其冷却需求也保持在最低限度,这有助于进一步降低所需的空间。 
发表于 2018-02-09 10:41:50
SOT502ISM频段小型射频功放晶体管为射频能量应用提供600W功率

恩智浦最高功率晶体管突破半导体射频功率放大器极限

电子网消息,全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体( NXP )宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。据悉,MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品高出百分之五十。此外,MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。这款晶体管简单易用,极大方便了微波发生器设计人员。与真空管时代的技术(如磁控管)相比,MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全动态范围内进行精确的功率控制,并可实现频移,有助于精确地使用射频能量。而且,MRF13750H的性能
发表于 2017-07-05 21:50:42

恩智浦推出面向915MHz最高功率晶体管

射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管提供750W连续波(CW),比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H晶体管基于50V硅技术LDMOS,突破了半导体射频功率放大器的极限,使之成为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。这款晶体管简单易用,极大方便了微波发生器设计人员。与真空管时代的技术(如磁控管)相比,MRF13750H具有卓越的精度、控制性和可靠性。MRF13750H支持在0至750W的全动态范围内进行精确的功率控制,并可实现频移,有助于精确地使用射频能量
发表于 2017-07-05 16:04:27

宜普电源转换公司(EPC)推出高频单片式氮化镓半桥功率晶体管

EPC2111氮化镓半桥功率晶体管帮助系统设计师实现具更高效率的负载点系统应用,在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率,及在10 MHz开关时实现超过80%效率。宜普电源转换公司(EPC)宣布推出30 V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管(EPC2111)。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管形成单个元件,可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。这样可以提高效率(尤其是在更高频率时)及提高功率密度,而且同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2111是高频12 V转至负载点DC/DC转换的理想元件。在EPC2111半桥器件内的每一个元件的额定电压是30 V。 上面的场效应晶体管
发表于 2017-06-14 17:26:59

小广播

电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2018 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved