安森美半导体的全系列IGBT满足汽车、太阳能逆变器、不间断电源、白家电等各类应用需求

2017-05-16 16:23:13来源: EEWORLD 关键字:安森美  整流控制器

安森美半导体是领先的功率器件半导体供应商,提供全面的功率器件,包括MOSFET、IGBT、二极管、宽带隙(WBG)等分立器件及智能功率模块(IPM)等功率模块,尤其在收购Fairchild半导体后,是全球第二大功率分立器件半导体供应商,在IGBT领域有着不可比拟的优势,提供同类最佳的IGBT技术和最宽广的IGBT产品阵容。下面就随电源管理小编一起来了解一下相关内容吧。


安森美半导体在IGBT领域的优势

安森美半导体在功率器件、IGBT、薄晶圆和封装技术方面有强大的知识产权阵容,在全球多地拥有IGBT制造设施,量产点火IGBT具有30年经验,600 V和1200 V沟槽场截止IGBT平台性能已通过分立产品和功率集成模块(PIM)系列证实。自2016年9月收购Fairchild,安森美半导体的IGBT产品阵容大为扩展,提供600 V、650 V、1200 V、1350 V、1500 V IGBT,采用TO-3P、TO-247、TO-247 4L、TO-220、TO-220 FullPak、D2PAK、DPAK等封装,用于汽车、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电磁炉、电焊机和电机控制等各种不同应用。

 

图1:安森美半导体的IGBT阵容

沟槽栅场截止IGBT技术是当前IGBT领域的一大技术亮点,图2为安森美半导体的沟槽栅场截止IGBT的横截面,采用了背面金属化、背面注入、栅氧化、场氧化、钝化等工艺,电场分布呈梯形,可实现优化的导通损耗和开关性能。

 

图2:沟槽栅场截止IGBT横截面

安森美半导体的IGBT具有出色的非钳位感性开关(UIS)能力,大大增强了在系统发生瞬态事件时的可靠性。UIS用以测试器件的抗雪崩能力,如器件在击穿后能承受的能量水平。UIS能力不依赖于击穿电压

安森美半导体的FSIII 超场截止1200 V IGBT采用公司专有的超场截止沟槽技术,并与一个具有软关断特性的快速恢复二极管(FRD)共同封装在一起,提供最小的反向恢复损耗。FSIII FRD采用更薄的外延层、优化的外延缓冲层和更少掺杂的阳极,表现出更低的正向压降(VF)、更软开关和更低的反向恢复电流(IRRM)。加之其极宽的高度触发的场截止层,能实现领先行业的总开关损耗,为大功率开关系统在电源能效方面设立新的基准。如NGTB40N120FL3WG的总开关损耗为2.7毫焦耳(mJ),而NGTB25N120FL3WG的总开关损耗为1.7 mJ。两款器件在各自额定电流下的VCEsat均为1.7 V,非常适用于UPS和太阳能逆变器。NGTB40N120L3WG经优化提供低导通损耗,额定电流下的VCEsat为1.55 V,总开关损耗为3 mJ,主要针对电机驱动应用。这些1200 V IGBT还曾在2016年获《今日电子》与21IC中国电子网联合颁发“Top 10电源产品奖”,这是于电子业备受认同的确定高品质产品的一个基准。

安森美半导体的FS4 沟槽场截止650 V IGBT,如FGH50T65SQD_F155和FGH75T65SQD_F155,具备高电流能力、高输入阻抗、快速开关和紧密的参数分布等特性。

FSIII和FS4都是先进的IGBT技术,提供高性能和强固的IGBT产品。

此外,安森美半导体不光在分立器件上有业界领先的产品,公司还结合在功率模块上的先进技术,推出了用于太阳能逆变器和UPS的T型逆变器 PIM。集成化的模块包括了IGBT及整流器,采用安森美半导体的专有沟槽FS技术 及强固的超快FRD,配置为中点钳位式T型拓扑结构,能效可超过98%。模块中的IGBT通过在低饱和电压(Vce)和低关断损耗(Eoff)之间权衡取舍,恰到好处地优化电路性能,具有最大结温Tj = 175°C或短路能力。模块中的超快整流器提供低VF性能和高温能力。可配置的封装平台采用大功率直接键合铜(DBC)基板技术及专有的压合(press-fit)引脚,可以提供更高的功率密度、更高的性能与更高的可靠性。

我们对安森美半导体的IGBT PIM模块和竞争对手的IGBT模块进行了能效对比测试,它们被评估用于一个7千瓦的T型逆变器应用,工作于15千赫、200 V交流电压和650伏直流链电压。结果表明,安森美半导体的IGBT PIM模块能效和热性能都要优于竞争器件。

用于白家电的IGBT

1. 功率因数校正(PFC) 类应用

PFC类的IGBT主要用于工业、空调等应用,工作频率在20至40 kHz,峰值电流在20 A至 40 A,要求低噪声、低开关损耗。

同等工作条件下,IPM结构比分立的PFC结构提供更高的工作频率,且由于其将升压线圈布设在电路板上,从而减小磁芯尺寸,进而降低组装成本。在220 V交流电压,4 kW工作频率下,无桥交错式PFC的系统总损耗还较分立的升压PFC降低38%。

 


表1:安森美半导体用于PFC类白家电的IGBT阵容

2. 逆变器类应用

这类应用主要包括冰箱、洗衣机、洗碗机等,工作频率在5至20 kHz,峰值电流在3至15 A,要求低功耗、高可靠性,若需降低成本,可转向采用分立的IGBT。

例如,对于用于冰箱的逆变器,安森美半导体提供600 V NGTB03N60R2DT4G、NGTB05N60R2DT4G、NGTB10N60R2DT4G,采用紧凑的DPAK封装,提供低饱和电压VCE(sat),能承受达5 μs的短路,散热性极佳,有助于设计人员采用紧凑的PCB和实现高能效。

对于用于洗衣机、电锯的逆变器或电机,安森美半导体提供采用DPAK封装的NGTB10N60R2DT4G、采用TO-220F-3FS封装的NGTB10N60FG和NGTB15N60R2FG,这些IGBT具有低VCE(sat)和高速开关性能,能承受达5 μs的短路,无需隔离器件,提供高能效。

3. 感应加热类应用

感应加热类应用分为两种拓扑结构:单端式和半桥式。单端式结构简单,主要用于电饭煲、微波炉等低成本应用,需要IGBT、电容及电感等高压器件,最大功率不超过2 kW,通过电压谐振实现软开关,采用高BVces的IGBT,最好具有快速开关性能,电压范围在1000至1,500 V,电流在15至30 A;半桥式拓扑主要用于频率超过2 kW 的高功率应用如电磁炉炉面,需要2个IGBT和隔离的门极驱动器,通过电流谐振实现软开关,采用高额定电流的IGBT,最好具有低VCE(sat),电压范围在600至650 V,电流在40至60 A。

 

图3:单端拓扑(左)和半桥拓扑(右)

 

表2:安森美半导体用于感应加热类白家电的IGBT阵容

总结

安森美半导体是领先的IGBT供应商,具备先进的IGBT技术和宽广的IGBT阵容,提供从600 V到1500 V、涵盖平面型和沟槽型、FS到FS4的高性能IGBT和IGBT PIM。公司专有的沟槽场截止技术和封装优势,完美地平衡开关损耗和导通损耗,能满足各类应用和不同客户的需求。

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关键字:安森美  整流控制器

编辑:李强 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2017051627347.html
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