OptiMOS™ 5 150 V大幅降低导通电阻和反向恢复电荷

2016-10-19 10:09:36来源: EEWORLD
2016年10月18日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。新的150 V产品家族专门针对要求低电荷、高功率密度和高耐受性的高性能应用而优化。它是英飞凌面向低压马达驱动、通讯电源同步整流和DC/DC Brick同步整流,以及太阳能电源优化器等系统解决方案的重要组成部分之一。
 
更环保的技术
英飞凌坚持不懈地研发适用于高能效设计的产品,以帮助减少全球二氧化碳排放。OptiMOS™ 5 150 V有助于实现这一目标,它可以降低电信设备能耗,或者改善电动汽车的功率和续航里程。
 
与它的下一代最佳替代产品相比,采用SuperSO8封装的OptiMOS™ 5 150 V可以将导通电阻RDS(on) 大幅降低25%。在导通电阻相同的情况下,该产品家族的FOMg比上一代产品优化了高达29%。超低Qrr——比采用它的下一代最佳替代产品SuperSO8低72%——增强了通流耐受性。该产品家族的另一个杰出特性是其更出色的EMI性能。
 

关键字:功率  二氧化碳

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016101926855.html
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