借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小工业元件占位面积

2016-10-13 11:51:14来源: EEWORLD
近日在中国深圳,我遇到了一位在一家信息娱乐系统制造商任职的设计师。“您碰巧在设计中用过60V的负载开关吗?”我问。他说用过,并告诉我他的电路板包含了大约10个30V-60V的小外形晶体管(SOT)-23,漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上,您有遇到过空间受限的问题吗?”我问。他确实碰到过,于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面积仅为1.5mm × 0.8mm (1.2mm2) (参见图1),是专为诸如信息娱乐系统等空间受限的应用情况设计的。

图1:CSD18541F5l平面网格数组封装
相比您的那些家用电器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封装(参见图2),新型MOSFET的尺寸约有其六分之一。这意味着,新型MOSFET不仅RDS(ON)导通电阻更小,其封装尺寸也比传统MOSFET小75%。

图2:传统SOT-23封装,旁边是CSD18541F5LGA封装
与这位工程师做了一些快速计算,我们的结论是如果每个电路板用10个元件,他就能节省大约55mm2占位面积——大多数的工程师通常事后才会想到这节省的是不小的空间。那么焊盘间距情况如何呢?幸运的是,这个微型LGA封装在设计中同样考虑了工业客户的需求,他们一致认为0.5mm是两个焊盘之间的首选最小间距。
如今,我在工业市场遇见的每个人,无论是从事生产电源、电池保护装置还是电动工具的,几乎都对更小尺寸或更高性能(或兼具两个特点)的负载开关颇有兴趣。
因此,如果您的工业设计需要使用不少SOT-23或更大的负载开关,请考虑选择TI新型的CSD18541F5 MOSFET。相信我,您的PCB占位面积会也会对您感激不尽。
 

关键字:晶体管  电阻

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016101326851.html
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