英飞凌800 V CoolMOS™ P7系列设立效率和散热性能的新基准

2016-09-19 14:07:55来源: EEWORLD
2016年9月19日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出800 V CoolMOS™ P7系列。该800 V MOSFET基于超级结技术,兼具出类拔萃的性能和优异的易用性。这个新的产品家族非常适于低功率SMPS应用,可完全满足性能、易于设计和性价比等市场需求。它主要侧重于反激式拓扑,这种拓扑常见于适配器LED照明、音频、工业和辅助电源等应用。
 

 
800 V CoolMOS P7系列可将效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3,或者比之典型反激式应用中测试的其他竞争对手产品,这相当于将MOSFET温度降低2到8 °C。这个新基准源于一系列优化器件参数,包括Eoss和Qg降低50%以上,以及降低Ciss和Coss。这些出色的性能优化可以降低开关损耗,改善DPAK封装能实现的最低 RDS(on)值,从而实现更高功率密度的设计。总而言之,这有助于客户节省物料成本,减少组装工作量。
 

 
易用性是这个产品家族从设计上就实现的固有特性。其集成式齐纳二极管可大幅提升静电防护能力,从而减少与静电放电有关的产量损失。这个MOSFET拥有行业领先的高达3 V的V(GS)th和仅±0.5 V的最小VGS(th)波动范围。这个组合不仅可以降低驱动电压和开关损耗,还它有助于避免线性区内发生意外操作。
 

 
供货情况
800 V CoolMOS P7 MOSFET家族将提供12个RDS(on)级别和6种封装,以全面满足目标应用的需求。RDS(on)为280 mΩ、450 mΩ、1400 mΩ和4500 mΩ的产品现已可订购。

关键字:适配器  音频  温度

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016091926801.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
适配器
音频
温度

小广播


Warning: file_get_contents() [function.file-get-contents]: php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Temporary failure in name resolution in /Data/webapps/cms/phpcms/libs/functions/global.func.php on line 2075

Warning: file_get_contents(http://training.eeworld.com.cn/shareCourseAPI/power?count=5&csfl=no) [function.file-get-contents]: failed to open stream: php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Temporary failure in name resolution in /Data/webapps/cms/phpcms/libs/functions/global.func.php on line 2075

Warning: array_values() [function.array-values]: The argument should be an array in /Data/webapps/cms/SSI/show_training_SSI.php on line 16

大学堂最新课程更多


Warning: Invalid argument supplied for foreach() in /Data/webapps/cms/SSI/show_training_SSI.php on line 23

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved