东芝推出具备50V额定输出和8通道漏型输出的晶体管阵列

2016-09-01 16:24:07来源: EEworld
东京—东芝公司(TOKYO:6502)旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布,将启动新一代晶体管阵列“TBD62183AFNG”和“TBD62183AFWG”的样品出货,该系列产品搭载适用于多种应用的DMOS FET[1] 型漏型输出[2],包括光电耦合器控制、LED照明、继电器驱动和电平位移器。
批量生产计划于2016年9月底启动。
 



这些新产品实现30V额定输入和50V额定输出的高压驱动,适用于各种电平位移器,并且可通过高压控制信号直接控制光电耦合器、LED和继电器。其将8通道漏型输出集成到小型表面贴装型封装(SSOP18和SOL18)中,在实现多电路控制的同时节省了空间。

新产品采用DMOS FET型输出,输入引脚无需基极电流,可实现低输入电流操作(0.1mA(最大值))[3]和低功耗。它们还具有与达林顿双极型晶体管饱和电压(Vce (sat))属性类似的输出特性,因此可用于替代东芝TD62083A系列的现有双极型晶体管。

新产品的主要特性

高压驱动

绝对最大额定输入为30V,额定输出为50V。通过电平位移器和高压控制信号实现直接控制。

输入电流减少

实现低输入电流(0.1mA(最大值))操作和低功耗

满足各种需求的封装

该系列产品包括支持表面贴装的SOL型封装以及节省空间的小型SSOP(0.65mm脚距)封装。

应用场合

游乐设备(弹球盘和老虎机)、家用电器(空调和冰箱)及工业设备(自动售货机、ATM等银行终端、办公室自动设备和工厂自动化设备)

与现有产品相比
 
  现有产品
TD62083AFNG/FG
ULN2803AFWG
新一代产品
TBD62083AFNG/FWG
新一代产品
TBD62183AFNG/FWG
工艺 双极工艺 130nm BiCD工艺
未来标准技术
引脚分配 相同引脚分配
功能 相同功能
额定输入 30V 30V
输入电流 1.35mA(最大值)@VIN=3.85V 0.1mA(最大值)@VIN=3V
输出结构 双极型晶体管 DMOS FET
额定输出 50V/0.5A 50V/0.5A 50V/0.05A
输出特性 Vce(sat)=0.8V@IOUT=45mA
达林顿双极型晶体管特性
VOUT=0.1V@IOUT=45mA
高效驱动
VOUT=1.0V@IOUT=45mA
类似于达林顿双极型晶体管Vce(sat)的特性
封装 FNG型: SSOP18
FG型: SOP18
FWG型: SOL18
FNG型: SSOP18
FWG型: SOL18

产品阵容
 
产品名称 输出类型 输出通道 额定输出 普通二极管 封装 批量生产 对应的现有产品
TBD62183A FNG 漏型输出 8通道 50V
50mA
内置 SSOP18 2016年9月底 TD62083AFNG
FWG SOL18 TD62083AFG
ULN2803AFWG
注1:DMOS FET:双扩散型MOSFET
 

关键字:东芝  晶体管

编辑:刘燚 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016090126774.html
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