Diodes 公司有源OR’ing控制器提升最大电压至200V

2016-08-09 14:11:54来源: EEWORLD
Diodes公司提供ZXGD3111N7 有源OR’ing MOSFET控制器,瞄准使用冗余电源系统以实现高可靠性的电信、数据中心和服务器应用,提升最大200V的漏极电压性能。相比先前发布的40V ZXGD3108N8,该最新器件增加了VDRAIN ,能够在通过OR方式连结两个或更多电源的48V共轨系统提供冗余功能以满足其需求。


 
除了达到其它竞争产品两倍的200V额定电压之外,ZXGD3111N7还具有低关断阈值电压,紧密容差为-5mV至-1mV,从而在使用低RDS(ON) MOSFET器件时提升了轻负载条件下的稳定性,使得这款控制器成为同级领先的解决方案,能够在整个负载范围提供最高效率和可靠性。
 
ZXGD3111N7经设计与FET器件共用,创建理想的二极管以替代通常用于共轨设计之阻隔二极管,其5A散热电流能力允许在并行OR’ing  MOSFET中的极快速放电,其<600ns的快速关断规范可以避免共轨中的反向电流和任何电压降。这款器件具有业界领先的<50mW待机功耗,静态电源电流<1mA。

关键字:Diodes  有源OR’ing  控制器  200V

编辑:杜红卫 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016080926733.html
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