Vishay新的BiSy两线ESD保护二极管为高速数据线提供安全保障

2016-07-27 13:17:58来源: EEWORLD
宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 7 月27 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT1。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封装,可用于便携式电子产品。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT1比SOT32封装的产品节省空间,具有超低电容和漏电流,可保护高速数据线免受瞬变瞬态电压信号的干扰。
 

 
今天推出的器件高度不到0.4mm,典型负载电容为0.35pF。VBUS05M2-HT1采用“流通”设计,适合保护智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的HDMI、DisplayPort、eSATA、USB 3.0、1394/FireWire和Thunderbolt等高速数据线。保护二极管在5.5V工作电压的最大漏电流不到0.1μA,在1mA电流下的典型击穿电压为8.5V,3.6A下的最高钳位电压为18V。
 
VBUS05M2-HT1能够为数据线提供符合per IEC 61000-4-2要求的±20kV(空气和接触放电)瞬变保护。器件的潮湿敏感的等级(MSL)达到J-STD-020的1级,耐火达到UL 94 V-0,可承受10秒钟的+260℃回流焊。焊接质量可以用标准的视觉检验设备来检查,不需要用X光。保护二极管符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。
 
VBUS05M2-HT1现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周。
 

关键字:二极管  电压  电容

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016072726711.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
二极管
电压
电容

小广播

独家专题更多

TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
走,跟Molex一起去看《中国电子消费品趋势》!
 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved