Vishay的新款600V和650V E系列MOSFET提高了可靠性并减小封装电感

2016-07-15 16:33:39来源: EEWORLD
宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 7 月15 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出3颗采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封装的N沟道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E,扩充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空间,可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET,具有高可靠性和小封装电感,可用于照明、工业、电信、计算和消费应用。
 

 
今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix设计和开发,表面贴装PowerPAK SO-8L封装完全符合RoHS,无卤素,无铅。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸为5mm x 6mm,占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半。而且,与无引线DFN封装的MOSFET相比,在整机设备的使用寿命内碰到温度循环情况时,PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。
 
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造,在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω,极电荷低至17nC,导通电阻与栅极电荷乘积更低,该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。在功率因数校正、反激、双管正激转换器,以及HID和LED照明、工业、电信、消费和计算类应用的电源适配器等硬开关拓扑中,这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗,有效节约能源。
 
MOSFET可承受雪崩和换相模式中的高能脉冲,保证限值通过100%的UIS测试
 
器件规格表:

 
SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E MOSFET现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十六周。
 

关键字:电感  制造  测试

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016071526692.html
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