150V 同步降压型 DC/DC 控制器无需外部浪涌保护器件

2016-05-24 16:27:25来源: EEWORLD
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2016 年 5 月 23 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款高压非隔离式同步降压型开关稳压器控制器 LTC3895,该器件可驱动一个全 N 沟道 MOSFET 电源级。其 4V 至 140V (150V 绝对最大值) 输入电压范围允许使用高压输入电源或具高压浪涌的输入工作,从而无需外部浪涌抑制器件。LTC3895 在输入电压降至 4V 时可继续以高达 100% 占空比运行,从而非常适合交通运输、工业控制、机器人和数据通信应用。


 
输出电压可设定在 0.8V 至 60V 范围,输出电流高达 20A,效率高达 96%。在休眠模式且输出电压处于稳定状态时,该器件仅吸取 40µA 电流,非常适合始终保持接通系统。一个内部充电泵允许在有压差时以 100% 占空比运行,当用电池供电且处于放电状态时,这种功能很有用。LTC3895 强大的 1Ω N 沟道 MOSFET 极驱动器可在 5V 至 10V 范围内调节,以能够使用逻辑级或标准级 MOSFET,从而最大限度提高效率。为了在高压输入应用中防止芯片功率消耗过高,LTC3895 提供了一个 NDRV 引脚,该引脚驱动一个可选的外部 N 沟道 MOSFET 栅极作为低压差线性稳压器给 IC 供电。EXTVCC 引脚允许使用开关稳压器的输出或其他可用电源给 LTC3895供电,从而降低功耗并提高效率。 
 

 
LTC3895 以 50kHz 至 900kHz 可选固定频率工作,也可同步至一个 75kHz 至 850kHz 的外部时钟。在轻负载时,用户可以选择强制连续、脉冲跳跃或低纹波突发模式 (Burst Mode®) 工作。其电流模式架构可提供容易的环路补偿、快速瞬态响应和卓越的电压调节。电流检测通过测量输出电感器 (DCR) 两端的压降完成,以实现最高效率,或者通过采用一个可选的检测电阻器完成。很短的 80ns 最小接通时间允许在高开关频率时实现高降压比。电流折返在过载情况下限制 MOSFET 产生的热量。其他特点包括固定 5V 或 3.3V 输出选择、集成的自举二极管、一个电源良好输出信号、可调输入过压闭锁和软启动。
LTC3895 采用耐热增强型 TSSOP-38 封装,去掉了几个引脚以提供高压间隔。有两种工作结温级版本提供,扩展和工业级版本的温度范围为 –40°C 至 125°C,高温汽车级版本的温度范围为 –40°C 至 150°C。

关键字:高压输入  供电  压降

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016052426606.html
本网站转载的所有的文章、图片、音频视频文件等资料的版权归版权所有人所有,本站采用的非本站原创文章及图片等内容无法一一联系确认版权者。如果本网所选内容的文章作者及编辑认为其作品不宜公开自由传播,或不应无偿使用,请及时通过电子邮件或电话通知我们,以迅速采取适当措施,避免给双方造成不必要的经济损失。
论坛活动 E手掌握
微信扫一扫加关注
论坛活动 E手掌握
芯片资讯 锐利解读
微信扫一扫加关注
芯片资讯 锐利解读
推荐阅读
全部
高压输入
供电
压降

小广播

独家专题更多

迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
迎接创新的黄金时代 无创想,不奇迹
​TE工程师帮助将不可能变成可能,通过技术突破,使世界更加清洁、安全和美好。
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
TTI携TE传感器样片与你相见,一起传感未来
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
富士通铁电随机存储器FRAM主题展馆
馆内包含了 纵览FRAM、独立FRAM存储器专区、FRAM内置LSI专区三大部分内容。 
电子工程世界版权所有 京ICP证060456号 京ICP备10001474号 电信业务审批[2006]字第258号函 京公海网安备110108001534 Copyright © 2005-2016 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved