英飞凌推出具备更大爬电距离的宽体封装

2016-05-19 18:03:14来源: EEWORLD 关键字:封装  电流  驱动
   2016年5月19日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)为其EiceDRIVER™ Compact隔离型门级驱动IC产品家族带来了宽体封装新成员。全新1EDI Compact 300 mil器件采用DSO-8 300 mil封装,可增大爬电距离并改善热性能。
 
    全新IC的爬电距离为8 mm,输入至输出隔离电压1200 V。它们专为驱动高压功率MOSFET和IGBT而设计。目标应用包括通用和光伏逆变器、工业变频器、电动汽车充电站、焊接设备及商用和农用车等。优化的引脚可简化PCB设计,实现低阻抗电源。与英飞凌EiceDRIVER™产品家族的其他成员一样,1EDI Compact 300 mil驱动基于英飞凌的无芯变压器技术。最新推出的驱动IC能实现最大6 A的输出电流
 
产品信息与上市时间
    该IC能在独立的灌电流和拉电流输出引脚分别提供驱动电流0.5A(1EDI05I12AH)、2A(1EDI20I12AH)、4A(1EDI40I12AH)和6A(1EDI60I12AH)的不同型号。这些器件的典型延迟为300纳秒。对于速度更高的应用,1EDI20H12AH和1EDI60H12AH的延迟有所缩短,只有120纳秒,非常适合于当今和未来的基于SiC-MOSFET的应用。另外三个型号(1EDI10I12MH、1EDI20I12MH和1EDI30I12MH)配有一个集成的米勒钳位,可提供相应的输出电流1A、2A和3A等规格。
 
    2016年6月计划批量生产1EDI Compact 300 mil门级驱动IC。目前提供工程样品和评估板。

关键字:封装  电流  驱动

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016051926598.html
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