ST新的MOSFET晶体管技术/封装解决方案重新定义功率能效

2016-05-12 11:49:58来源: EEWORLD 关键字:功率  能耗  二极管
中国,2016年5月11日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。
 

 
全世界的人都在获取、保存、分享大量的电子书、视频、相片和音乐文件,数据使用量连续快速增长,运行云计算技术的服务器集群、互联互通的电信网络、数据用户终端设备的耗电量也随之越来越高,人们对这些设备能耗最小化的需求越来越多。为应对这一挑战,意法半导体整合最先进的功率晶体结构和尺寸紧凑且高热效率的PowerFLAT 8x8 HV封装技术,推出世界上功率密度最好的 功率晶体管解决方案。 
 
意法半导体的新系列功率晶体管产品包括集成快速恢复二极管击穿电压650V的各种超结 功率MOSFET。包括低栅电荷量、低输入电容、低输入电阻、内部二极管的快速恢复、极低的恢复电荷量(Qrr)、极短的恢复时间(Trr)和业内最好的软开关性能  在内的技术参数让新产品领先于竞争对手。 
意法半导体的新MDmeshTM DM2 功率MOSFET目前有多种封装/击穿电压组合。
 

关键字:功率  能耗  二极管

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016051226579.html
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