安森美半导体进一步扩展IGBT系列

2016-05-10 18:09:39来源: EEWORLD
2016 年 5月10日- 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),推出新系列绝缘双极晶体管(IGBT),采用公司专有的超场截止沟槽技术。NGTB40N120FL3WG、 NGTB25N120FL3WG 和NGTB40N120L3WG的设计旨在提升工作性能水平,以符合现代开关应用的严格要求。这些1200伏特(V)器件能实现领先行业的总开关损耗(Ets)特点;显著提升的性能部分归因于极宽的高度触发的场截止层及优化的共同封装二极管。
 

 
NGTB40N120FL3WG的Ets为2.7毫焦耳(mJ),而NGTB25N120FL3WG的Ets为1.7 mJ。两款器件在各自额定电流下的VCEsat均为1.7 V。NGTB40N120L3WG经优化提供低导通损耗,额定电流下的VCEsat为1.55 V,Ets为3 mJ。新的超场截止产品与一个具有软关断特性的快速恢复二极管共同封装在一起,仍提供最小的反向恢复损耗。NGTB25N120FL3WG和NGTB40N120FL3WG非常适用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器,而NGTB40N120L3WG主要针对电机驱动应用。
 
安森美半导体功率分立器件分部高级总监兼总经理Asif Jakwani说:“我们把新的超场截止IGBT配以优化的快速恢复二极管达到最佳状态,完美地平衡了VCEsat和Ets,从而降低开关损耗,并增强硬开关应用在宽范围开关频率的电源能效。同时它还提供工程师期望从IGBT获得的强固工作和高性价比。”
 

关键字:技术  损耗  驱动

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016051026573.html
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