Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

2016-03-22 17:36:39来源: EEWORLD 关键字:电压  损耗  电磁
美国加州圣何塞 – 2016 年 3月22日 —全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V  N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。  FDMS86181是Fairchild新一代PowerTrench MOSFET系列的首款器件,能够使需要100V MOSFET的电源、电机驱动和其他应用极大地提升效率、降低电压振铃并减弱电磁干扰(EMI)。
 

 
近25年前,Fairchild曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench产品将会让我们继续处于MOSFET技术研发的最前沿,领先于竞争对手,并满足客户严苛的要求。
 

 
Fairchild副总裁兼iFET业务部门总经理Suman Narayan表示:“相对于此前产品,我们的新型100V N沟道FET已取得巨大进步。从能效到可靠性,新一代PowerTrench MOSFET系列产品在各个性能类别的表现几乎都优于竞争对手,堪称行业领先。”  
 
新型FDMS86181的主要优点分别为:Rdson减少了40%,从而降低了导通损耗;最大程度降低栅极电荷(Qg),从而减少了开关损耗。FDMS86181极低的反向恢复电荷(Qrr)几乎消除了产生振铃的电压过冲隐患,这就允许在产品设计时少用或者不用缓冲器并降低电磁干扰(EMI)。 利用FDMS86181的这一独特优势,设计人员不但减小了产品的尺寸,同时还降低了物料(BOM)成本。
 

关键字:电压  损耗  电磁

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016032226502.html
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