Fairchild针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200VSiC二极管

2016-03-22 17:34:01来源: EEWORLD 关键字:解决  控制器  二极管
美国加州圣何塞 – 2016 年 3月 22日 — 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 发布首个1200V碳化硅(SiC)二极管 —— FFSH40120ADN,纳入即将推出的SiC解决方案系列。1200V二极管凭借卓越的开关性能、更高的可靠性和较低的电磁干扰(EMI),成为下一代光伏逆变器、工业电机控制器和电焊机的理想选择,所有这些应用都不断面临着提高功率密度和能源效率的要求。
 

 
Fairchild高功率工业事业部副总裁兼总经理赵进表示:“市场趋势和日益严苛的行业标准共同推动了市场对高能效产品的需求,我们的新型1200V二极管经专门设计,可帮助制造商满足这些不断上升的能效要求,提供更好的可靠性、耐用性和成本效率。碳化硅相较于硅而言具有巨大优势,因此我们使用这种材料制作二极管,在构建全面的碳化硅方案系列过程中,我们将会开发出更多基于SiC的半导体器件。”
 

 
FFSH40120ADN二极管具有一流的低漏电流性能,在高达175°C的工作温度下,泄漏电流量远低于其竞争产品。1200V SiC二极管的主要优势在于它具有超快的开关速度且无反向恢复电流,与硅器件相比,它能够大大降低开关损耗并实现卓越的能效。更快的开关速度同时也能让制造商减小产品电磁线圈以及相关无源组件的尺寸,从而提高组装效率,减轻系统重量,并降低物料(BOM)成本。
 
该二极管在较宽温度范围内稳定开关的能力是造就其优越性能的另一大因素,而能够消除电压过冲隐患的零恢复电压特性同样功不可没。
 
由于SiC的热性能优于硅,FFSH40120ADN二极管的耐用性和可靠性要大大超过基于硅的同等二极管。SiC的击穿电压比硅器件高十倍,而SiC的导热性也比硅器件高三倍。
 

关键字:解决  控制器  二极管

编辑:王凯 引用地址:http://www.eeworld.com.cn/dygl/article_2016032226501.html
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